Чем ток отличается от напряжения: Чем отличается ток от напряжения

Электричество в жизни современного человека играет огромную роль. Однако далеко не все понимают принципы и ценность этого явления. Основные характеристики электричества — это две зависящие друг от друга величины: напряжение и сила тока. Для того чтобы знать, чем они отличаются друг от друга, нужно понять их природу. И то, и другое могут иметь как постоянный, так и переменный характер.

Физические проявления

Физически ощутить проявления электричества человеку можно только опосредованно. Если попробовать на язык батарейку — можно почувствовать пощипывание. Это следствие протекания малого тока через организм. Чувствительная слизистая языка уже ощущает это раздражение. Можно увидеть искры статического электричества между двумя заряженными объектами, например, синтетическими тканями, или в школьном опыте с динамо-машиной. Все это следствие накопления заряда или потенциального напряжения.

Чтобы узнать, что такое сила тока, нужно определиться с понятием заряда. Как известно, вся материя в мире состоит из атомов. Атомы, в свою очередь, состоят из протонов, нейтронов и электронов. Среди этих частиц нейтрально заряжены только нейтроны. Протоны и электроны обладают потенциальной энергией — электрическим зарядом, который, в частности, и держит атомы в цельном состоянии.

Протоны и нейтроны находятся в ядре атома. Электроны же, напротив, располагаются далеко от ядра и движутся вокруг него по орбитам, сходным с орбитами планет солнечной системы. Чем дальше находится электрон от ядра, тем меньше его связь с центром атома, и тем проще он может потеряться. В различных материалах электроны ведут себя по-разному.

В металлах они слабо связаны с ядром и свободно перемещаются внутри вещества. Однако их общее количество в предмете с нейтральным зарядом всегда должно соответствовать количеству протонов.

Если электроны вследствие каких-то действий покидают вещество, они уносят с собой заряд. Соответственно, заряд, оставшийся в протонах вещества, будет накоплен этим веществом. Электроны могут унести заряд в случаях:

• Трения двух веществ друг о друга.
• Воздействия ультрафиолета или радиации.
• Быстрого перепада температур.

Таким образом, между предметами возникает разность потенциалов, или напряжение, способное вызвать искру. А искра — это уже проявление электрического тока. Заряды разного знака всегда притягиваются друг к другу. Если электроны перешли с одного материала на другой, то один материал накопил положительный заряд, а другой — отрицательный.

При их сближении электроны притянутся к положительно заряженному телу — и возникнет искра. То есть электроток — это движение заряженных ча

Аналогия с гидравликой

Слово ток имеет происхождение от слова течение. Соответственно, можно провести аналогию течения жидкости с электрическим током. Протекание жидкости возможно из одного места в другое, только если возникает сила, заставляющая ее сделать это. В самом простом случае — это разница уровней жидкости. То есть потенциальная энергия, заставляющая жидкое вещество течь от более высокого уровня к более низкому.

Аналогом разности уровней жидкости будет разность потенциалов или напряжение. Аналогом силы тока будет напор потока воды, создаваемый этой разностью уровней. Примеры потоков жидкости:

• Водопад.
• Поток, создаваемый водонапорной башней.
• Реки, текущие туда, где есть наклон территории.

Везде вода течет туда, где уровень меньше, а электроток — от большего напряжения к меньшему.

Связь величин законом Ома

Электротехнические величины также зависят и от материала, в котором протекает . Эти параметры определяются электросопротивлением вещества. Сопротивление бывает как бесконечно большим у диэлектриков, так и падать практически до нуля в условиях сверхпроводимости. Оно зависит от формы проводника (его длины и сечения) и вещества, из которого он изготовлен.

В обычных условиях сопротивление определяется по закону Ома как отношение напряжения к силе тока на участке цепи. То есть разность потенциалов можно найти как произведение силы тока на сопротивление. Знать, чем отличается сила тока от напряжения очень важно для электротехнических расчетов. На этом базируются все основы функционирования электрических цепей.

Постоянный и переменный

Сила тока и напряжение могут быть как постоянными, так и переменными. Постоянство величины говорит о ее неизменности во времени. Напротив, переменные величины периодически изменяют свое значение во времени. Если напряжение питания окажется переменным, то и сила тока, генерируемая им, будет переменной величиной. Это значит, что оба этих значения будут то увеличиваться, то уменьшаться. Форма сигнала может быть различной:

• Синусоидальный сигнал (плавное возрастание — убывание).
• Меандр (прямоугольный, треугольный сигнал), когда значение резко претерпевает изменение.
• Пульсирующий сигнал, изменяющийся то плавно, то резко, согласно некоторому закону.

Вне зависимости от того, постоянным или переменным является ток, его главное отличие от напряжения — то, что ток — это движение носителей заряда, а напряжение — причина этого движения.

Сила тока и напряжение: что это и в чем разница

Многие из нас, еще со школьной скамьи не могут понять того, какие аспекты, отличают силу тока от напряжения. Конечно, учителя постоянно утверждали то, что разница между двумя этими понятиями, является просто огромной. Тем не менее, только некоторые взрослые имеют возможность похвастаться наличием соответствующих знаний и если вы к числу таковых не принадлежите, то вам самое время обратить внимание на наш, сегодняшний обзор.

Что такое сила тока и напряжение?

Для того, чтобы говорить о том, что собой представляет сила тока и какие нюансы с ней могут быть связаны, считаем необходимым обратить ваше внимание на то, чем она является сам по себе. Ток — это процесс, во время которого, под непосредственным воздействие электрического поля, начинает происходить движение неких, заряженных частиц. В качестве последних, может выступать целый перечень всевозможных элементов, в этом плане, все зависит от конкретной ситуации. Так, к примеру, если речь идет об проводниках, то в этом случае, в качестве вышеупомянутых частиц, будут выступать электроны.

Возможно некоторые из вас этого и не знали, но ток активно используется в современной медицине и в частности для того, что избавить человека от целого перечня всевозможных болезней, та же эпилепсия, например. Незаменим ток также и в быту, ведь с его помощью, у вас дома горит свет и работают некоторые электроприборы. Сила тока, в свою очередь, подразумевает под собой некую физическую величину. Обозначается она символом I.

В случае с напряжением, все обстоит куда сложнее, даже если сравнивать его с таким понятием, как «сила тока». Там предусмотрены единичные положительные заряды, которые должны перемещаться из разных точек. Кроме этого, напряжением называют такую энергию, посредством которой и происходит вышеупомянутое перемещение. В школах, для понимания этого понятия, нередко приводят в пример течение воды, которое происходит между двумя банками. В данной ситуации, в качестве тока, будет выступать сам поток воды, в то время, как напряжение сможет показывать разницу уровней в двух этих банках. По этому, течение будет наблюдаться до тех пор, пока оба уровни в банках не сравняются.

Что отличает силу тока от напряжения?

Осмелимся предположить, что в качестве основной разницы между двумя этими понятиями является их непосредственное определением:

1. Под словами «сила тока» и «ток», в частности, представляют некое количество электричества, в то время, как напряжением принято считать меру потенциальной энергии. Простыми словами, два эти понятия достаточно сильно зависят друг от друга, сохраняя некоторые отличительные особенности, при всем этом. На их сопротивление влияет огромное количество самых разнообразных факторов. Важнейшим из них, является материал, из которого выполнен тот или иной проводник, внешние условия, а также температура.
2. Некая разница предусмотрена также и в их получение. Так, если воздействие на электрические заряды, создает напряжение, то ток получается уже путем прикладывания напряжения между точками схемы. Кстати говоря, в качестве таковых приборов, могут выступать обыкновенные батареи или более продвинутые и удобные генераторы. По этой причине мы и можем говорить о том, что основные отличия двух этих понятий, сводятся к их определению, а также тому, что получаются они в результате совершенно разных процессов.

Путать не следовало бы ток также и вместе с энергопотреблением. Понятия эти являются совершенно разными и главным их отличием должна восприниматься именно мощность. Так, в том случае, если напряжение предназначено для того. чтобы характеризовать потенциальную энергию, то в случае с током, энергия эта будет уже кинетической. В наших, современных реалиях, преимущественное большинство труб соответствует аналогиям из мира электричества. Речь идет об нагрузке, которая создается во время подключения лампочки или того же телевизора в сеть. Во время этого, создается расход электричества, который в конечном итоге, приводит к появлению тока.

Конечно, в том случае, если в розетку вы не будете подключать никаких электроприборов, напряжение будет оставаться неизменным, в то самое время, как ток будет равняться нулю. Ну а если не будет предусмотрено расхода, то какая вообще может идти речь о токе и какой-либо его силе? По этому, ток — это всего лишь некое количество электричества, в то время, как напряжением считается мера потенциальной энергии определенного источника электричества.

Интересное видео, где подробно объясняется разница между током и напряжением:

ссылок на напряжение [Analog Devices Wiki]

14.1 Введение

Опорные напряжения и линейные регуляторы напряжения имеют много общего. На самом деле, последний может быть функционально описывается как опорная схема, но с большим выходным уровнем тока (или мощности). Соответственно, многие характеристики двух типов цепей имеют большую общность (хотя выходное напряжение допуск ссылок обычно более жесткий в отношении температурного дрейфа, точности и т. д.).

Опорные напряжения имеют большое влияние на производительность и точность аналоговых систем. Допуск ± 5 мВ на 5 V эталон соответствует ± 0,1% абсолютной точности, которая составляет только 1 часть на тысячу или 10 бит точность. Для системы с 12-битной точностью выбор эталона с допуском ± 1 мВ может оказаться весьма сложным. проще, чем ручная калибровка эталона с более низкой точностью. Как высокая начальная точность, так и калибровка скорее всего, потребуется в системе, проводящей абсолютные 16-битные измерения.Обратите внимание, что многие системы делают относительные или ратиометрические измерения, а не абсолютные. В таких случаях абсолютная точность эталона не так важно, хотя шум и кратковременная стабильность могут быть.

Температурный дрейф или дрейф из-за старения могут быть даже большей проблемой, чем абсолютная точность. Начальный Ошибка всегда может быть отрегулирована или откалибрована, но компенсировать отклонение от температуры или времени сложно. Там, где это возможно, ссылки должны быть разработаны для характеристик дрейфа и старения при низких температурах, которые сохранить адекватную точность в диапазоне рабочих температур и ожидаемого срока службы системы.Шум в опорные напряжения часто игнорируются, но это может быть очень важно при проектировании системы. Шум это мгновенное изменение опорного напряжения. Обычно указывается в паспортах компонентов, но система дизайнеры часто игнорируют спецификацию и ошибочно полагают, что их эталонное напряжение не внести шум в их систему.

Есть две динамические проблемы, которые должны быть рассмотрены с опорным напряжением: их поведение при запуске и их поведение с переходными нагрузками.Что касается первого, всегда имейте в виду, что опорные напряжения делают не включается сразу (это относится к ссылкам внутри регуляторов электропитания, АЦП и ЦАП, а также дискретные конструкции). Таким образом, редко можно включить АЦП и эталон, будь то внутренний или внешний, сделать чтение и снова выключить в течение относительно нескольких микросекунд, однако такая операция привлекательна может быть с точки зрения энергосбережения.

Что касается второго пункта, данная эталонная ИС может или не может хорошо подходить для импульсного или быстрого переходного процесса условия загрузки, в зависимости от конкретной архитектуры.Многие ссылки используют малую мощность, и, следовательно, низкая пропускная способность, выходной буфер усилителей. Это приводит к плохому поведению при быстрых переходных нагрузках, которые могут ухудшить характеристики высокоскоростных АЦП (особенно последовательное приближение на основе конденсаторов и конвейерная связь) АЦП). Подходящая развязка может облегчить проблему (но некоторые ссылки колеблются с большими емкостными нагрузками), или дополнительный внешний широкополосный буферный усилитель может использоваться для управления частью схемы, где переходные процессы происходят.

14.2 Ссылки на простые диоды

С точки зрения функциональности их схемного соединения стандартные эталонные ИС часто доступны только в последовательный или трехполюсный ( В _В , общий, В _ВЫХОД ), а также только в положительной полярности. Типы серии имеют потенциальные преимущества более низкого и более стабильного тока покоя, стандартного предварительно подрезанные выходные напряжения и относительно высокий выходной ток без потери точности.Шунт или двухконтактный (, то есть диодоподобных) эталонов являются более гибкими в отношении рабочей полярности, но они также более ограничительный по загрузке. На самом деле они могут поглощать чрезмерную мощность с сильно изменяющимся напряжением, подаваемым резистором. входы. Кроме того, они иногда приходят в нестандартных напряжениях. Все эти различные факторы имеют тенденцию определять, когда один функциональный тип предпочтительнее другого. В отличие от этих самых простых ссылок (а также все другие шунтирующие регуляторы) имеют основное преимущество, состоящее в том, что полярность легко обратимый, переворачивая соединения и обращая ток привода.Тем не менее, основное ограничение всего шунта Регуляторы в том, что ток нагрузки всегда должен быть меньше (обычно значительно меньше) тока возбуждения.

Некоторые простые ссылки на диоды показаны на рисунке 14.1. В первом из них ток движется вперед Смещенный диод (или транзистор с диодным подключением) создает напряжение В _f = В _REF . В то время падение соединения в некоторой степени отделено от предложения сырья, в качестве справочного материала оно имеет многочисленные недостатки.среди они имеют сильный температурный коэффициент (TC) около -0,3% / ° C, некоторую чувствительность к нагрузке и довольно негибкое выходное напряжение, как правило, доступно только с шагом 0,65 В.

(а) смещенный вперед диод (б) стабилитрон (лавинный) диод

Рисунок 14.1: Простые двухконтактные диодные эталонные цепи

Значительный отрицательный температурный коэффициент прямого смещенного эмиттерного основания спая диода Подключенный транзистор зависит от В _BE .Чтобы исследовать это, давайте сначала пересмотрим V _BE уравнение.

На первый взгляд видно, что абсолютная температура, T, появляется в уравнении, а величина В _Т , тепловое напряжение (кТ / кв), имеет положительный температурный коэффициент. Это сделало бы V _BE имеют положительный температурный коэффициент, если I _S, ток насыщения перехода, был постоянное превышение температуры. I _S на самом деле имеет очень сильный температурный коэффициент, как видно на Следующее уравнение для I _S .

Примечание: E _г — энергетическая щель Кремния
M — температурная зависимость подвижности

Если мы используем это уравнение для I _S и вставим его в уравнение V _BE , а затем дифференцируем по отношению к температуре мы получаем следующее соотношение для константы I _C .

Примечание:

и

Мы можем видеть это на графике моделирования температуры, показанном на рисунке 14.2 где ток через диод подключенный NPN-транзистор установлен на 1 мА, 2 мА, 5 мА и 10 мА.

Рисунок 14.2 В _BE против температуры при 1 мА, 2 мА, 5 мА и 10 мА

Наклон линии 10 мА немного меньше отрицательного, чем линия 1 мА . На самом деле все V _BE против температурные линии будут сходиться на абсолютном нуле при проецировании обратно в начало координат. Напряжение у них сходятся примерно к энергетической щели кремния или 1.2 вольт. Это свойство не очень помогает сам по себе, но в сочетании с другим свойством BJT может привести к низкому значению температурного коэффициента как мы обсудим в разделе 14.3 о ссылке на запрещенную зону.

Напряжение В _BE простого транзистора с диодным подключением, показанного на рис. 14.1 (а), можно использовать для генерации регулируемый опорный ток, а также, как показано на рисунке 14.3. В этой схеме простое диодное соединение около Q ₁ заменяется повторителем излучателя Q ₂ . V _BE Q ₁ является впечатлен через R ₂ и результирующий ток течет через Q ₂ , чтобы стать I _REF , пренебрегая базовыми токами Q ₁ и Q ₂ .

Рисунок 14.3 В _BE сгенерированный опорный ток.

Результирующий опорный ток, I _REF , будет равен В _BE , деленному на R ₂ и иметь сильный отрицательный температурный коэффициент, как мы видели на рисунке 14.2. Это отрицательная температура Коэффициент тока часто называют CTAT или дополнительным к абсолютной температуре. Мы можем компенсировать этот отрицательный температурный дрейф, суммируя этот ток с другим током с равным сильный положительный температурный коэффициент. Вспоминая о главе 11, разделе 10, где мы обсуждали Пиковый источник тока, у нас есть блок цепи, который имеет такой положительный температурный дрейф. Мы ссылались на это как PTAT или ток пропорционально абсолютной температуре.На рисунке 14.4 мы объединяем схему из рисунок 14.3 (Q ₁ , Q ₂ , R ₁ и R ₂ ) справа с пиком источник тока из рисунка 11.18 в главе 11 (Q ₃ , Q ₄ , R ₃ и R ₄ ).

Рисунок 14.4 Объединение токов CTAT и PTAT для получения постоянного I _REF

Если мы установим токи PTAT и CTAT примерно равными (70 мкА) при некоторой номинальной температуре, то сумма два тока (140 мкА) будут примерно плоскими по сравнению стемпература, как мы видим на графике моделирования в рисунок 14.5.

Рисунок 14.5 Комбинированные источники тока CTAT и PTAT делают постоянным

Также важно отметить, что если бы ток, независимый от температуры, I _REF был применяется к температурным коэффициентом сопротивления низкой более или менее зависит от температуры опорного напряжения будет результатом. Необходимость нулевого резистора TCR не является строго обязательной, если все резисторы, используемые в схемы имеют одинаковую температуру и имеют идентичный TCR.

14.2.1 Стабилитроны

Во второй схеме рисунка 14.1 (b) используется стабилитрон или лавинный диод, и выходной сигнал заметно выше результаты напряжения. В то время как истинный пробой стабилитрона происходит ниже 5 В , лавинный пробой происходит при более высоких напряжениях и имеет положительный температурный коэффициент. Обратите внимание, что обратный пробой диода упоминается почти сегодня повсеместно как стабилитрон, хотя обычно это лавинообразный срыв. С поломкой D ₁ Напряжение в диапазоне от 5 до 8 В , чистый положительный TC примерно такой, что он равен отрицательному TC смещенный в прямом направлении диод D ₂ , дающий небольшую чистую ТС 100 ppm / ° C или меньше при работе на правильном ток смещения.Комбинации таких тщательно подобранных диодов легли в основу ранней единой упаковки «Стабилитроны с температурной компенсацией», такие как серия 1N821-1N829.

Температурно-компенсированный эталонный стабилитрон ограничен с точки зрения начальной точности, так как лучший TC комбинации падают при нечетных напряжениях, таких как 1N829 6,2 В . И, схема также ограничена для загрузки, поскольку для лучшего TC ток диода должен тщательно контролироваться. В отличие от принципиально более низкого напряжения (<2 В ) эталон, эталоны на основе стабилитронов должны обязательно приводиться от источников напряжения значительно выше чем 6 В уровней, так что это исключает работу опорных стабилитронов от 5 В или ниже системных источников.

Ссылки, основанные на стабилитронах с низким TC, также имеют тенденцию быть шумными из-за основного шума механизм поломки. Это было значительно улучшено с монолитными типами стабилитрона, как описано далее в раздел 14.4.

14,3 Ссылка на запрещенную зону

Разработка опорных напряжений с низкими выходными напряжениями (<5 В ) на основе запрещенного напряжения кремния привело к внедрению различных интегральных схем с низкотемпературным дрейфом.Ссылка на запрещенную зону техника привлекательна в конструкциях ИС по нескольким причинам; среди них относительная простота, и избегание стабилитронов и их шума. Тем не менее, очень важно в эти дни постоянно ухудшающейся системы Источник питания является фундаментальным фактом, что устройства с запрещенной зоной работают при низком напряжении до 1,2 В или менее. Не только используются ли они для автономных эталонных интегральных схем, но они также используются в конструкциях многих других линейных Микросхемы, такие как АЦП и ЦАП.

Чтобы понять основную концепцию ссылки на запрещенные зоны, нам сначала нужно изучить важный отношения с участием биполярных транзисторов.Представьте, что у нас есть два идентичных транзистора, как показано на рисунке 14.6.

Рисунок 14.6 Мощные отношения в схемотехнике

Давайте предположим, что каждое из этих устройств снабжено напряжениями на базе и что напряжение на коллекторе ( В +) достаточно положительный, чтобы избежать насыщения, которое обычно больше, чем В _BE . В этом Для эксперимента нам понадобится измерить два тока коллектора и разницу в базовом напряжении.С тех пор, как мы может контролировать токи коллектора, должно быть легко ограничить диапазон токов до значения, при котором ток коллектора и базовое напряжение связаны знакомыми теперь отношениями:

Где I _C — ток коллектора, В _BE — напряжение базы-эмиттера, I _S — ток насыщения для транзистора с определенной геометрией и легированием, а q / kT является обратной величиной теплового напряжения.Довольно стандартный транзистор, работающий при напряжении около 100 мкА, может иметь В _BE из около 650 мВ при комнатной температуре, где q / kT составляет около 0,039 / В . Экспоненциальный коэффициент в уравнении будет порядка 10 ¹¹ . В этом случае мы можем безопасно отбросить -1 член без серьезных ошибок. С помощью Это приближение теперь мы можем исследовать эффект работы согласованных транзисторов на разных Токи. Если мы установим два коллектора тока I _С1 и I _С2 путем регулировки V _BE1 и V _BE2 , тогда мы можем взять соотношение двух токов и помнить, что I _S1 равен I _S2 , как следует из перестановки уравнения:

Из этого уравнения получаем ожидаемый результат, что V _BE1 — V _BE2 = 0 при соотношении I _C1 до I _C2 равно 1.Мы можем получить уравнение для разности V _BE (ΔV _BE ), взяв натуральный логарифм:

Из этих уравнений видно, что члены I _S исчезли, поэтому сильная отрицательная температура эффект теперь исчез. Таким образом, ΔV _BE теперь имеет положительный температурный коэффициент и фактически пропорционально абсолютной температуре (PTAT).

Теперь мы можем перейти к следующему шагу в разработке опорного напряжения.Теперь мы расширим эту концепцию для транзисторы с одинаковыми базовыми напряжениями, но с разными зонами эмиттера, как показано на рисунке 14.7. V _BE Q ₁ равняется V _BE Q ₂ , что приводит к регулируемому коэффициенту тока между I _С1 и I _С2 1: 8 в зависимости от их относительной площади излучателя.

Рисунок 14.7. Различные области излучателя приводят к контролируемому соотношению тока

Теперь мы можем уменьшить ток в Q ₂ обратно до тока Q ₁ , вставив резистор между эмиттером Q _{и 2} и массой, как на рисунке 14.8. I _C2 x R ₁ уменьшает В _BE из Q ₂ , изменяя отношение I _C1 / I _C2 . Напряжение падение на резисторе, R ₁ представляет ΔV _BE при этом конкретном уровне тока. Для заданное значение для R ₁ , будет одно и только одно значение V _BE , где два токи коллектора равны (кроме I _C1 = I _C2 = 0). Это показано в симуляции Участок на рисунке 14.9, где для коэффициента площади эмиттера 8 и значения резистора 200 Ом.

Рисунок 14.8 Вставка эмиттерного резистора R ₁

При малых токах, когда падение напряжения на R ₁ относительно мало, I _C2 увеличивается более или менее экспоненциально в 8 раз I _C1 . Поскольку падение напряжения на R ₁ увеличивается, ток I _C2 становится все менее экспоненциальным и в конечном итоге все еще экспоненциальным I _C1 Догоняет и проходит I _C2 .

Рисунок 14.9 График зависимости тока коллектора от В _BE

Если мы можем настроить схему, обычно через отрицательную обратную связь, которая настраивает В _BE на рисунке 14.8 таким образом, что I _C1 = I _C2 мы можем получить контролируемое значение для? V _BE .

Основной принцип ссылки на запрещенную зону рассматривается здесь с использованием схемы, первоначально предложенной Робертом. Видлар 1971 года и показан на рисунке 14.10. Основная идея, использованная Уидларом, состояла в том, чтобы компенсировать негативное ТС базового эмиттера напряжения В _BE путем суммирования его со вторым напряжением В (R ₂ ), которое имеет положительный тс.

Во всех эталонах Bandgap используются два основных элемента:
1. Два BJT, работающие при разных плотностях тока
2. Добавление В _BE (-TC) и падение напряжения PTAT (+ TC)

Проблема в том, что для компенсации большого отрицательного ТС V _BE достаточно большой Потребуется ΔV _BE порядка 600 мВ.Это не может быть сделано с помощью простой схемы рисунок 14.8.

Первой из этих опорных цепей был LM109, а базовая ячейка запрещенной зоны показана на рисунке 14.10.

Рисунок 14.10: Базовая ссылка на запрещенную зону

Эта схема также называется ссылкой «V _BE ». Различная плотность тока между согласованными транзисторы Q ₁ -Q ₂ производят ΔV _BE по R ₃ . Потому что резисторы R ₁ и R ₂ в соотношении 1:10, ток в Q ₂ будет 1/10, что в Q ₁ , что приводит к уменьшению V _BE для Q ₂ .Выход В _Ref составляет производится суммированием V _BE из Q ₃ с усиленным ΔV _BE из Q ₁ -Q ₂ , разработано по R ₂ . ΔV _BE и V _BE компоненты имеют противоположную полярность TC; ΔV _BE пропорционально абсолютной температуре (PTAT), а V _BE дополняет абсолютную температуру (CTAT). При суммированном выходе В _Ref, равно 1.205 В (кремниевая запрещенная зона), ТК является минимальным. Я _В должен быть больше, чем сумма I _C1 и I _C2 , а избыточный ток будет течь в Q ₃ как I _C3 .

Однако базовые конструкции на рисунке 14.10 страдают от чувствительности нагрузки и тока привода, а также того факта, что выход требует точного масштабирования до более полезных уровней: , т. е. , 2,5 В , 5 В и т. д. адресован с использованием буферного усилителя, который также может обеспечить удобное масштабирование напряжения до стандарта уровни.

Улучшенный трехполюсный эталон запрещенной зоны (AD580, представленный в 1974 году) показан на рисунке 14.11. Эта схема, широко известная как «Brokaw Cell», обеспечивает буферизацию вывода на кристалле, что обеспечивает хороший привод. возможность и стандартное масштабирование выходного напряжения.

Рисунок 14.11: Ссылка на запрещенную зону Brokaw Cell Precision (AD580 1974)

AD580 на базе Cell Brokaw был первым прецизионным эталонным эталоном на основе запрещенной зоны и вариантами топологии. повлияли на последующие поколения отраслевых стандартов.

Популярный выбор конструкции — два транзистора с масштабированием эмиттера 8: 1 Q ₁ -Q ₂ , работающие при идентичные токи коллектора (и, следовательно, 1/8 плотности тока) благодаря согласованным нагрузочным резисторам R ₃ , R ₄ и обратная связь с обратной связью вокруг буферного операционного усилителя. Из-за результирующего меньше V _BE из области 8x Q ₁ , R ₂ последовательно с Q ₁ сбрасывает ΔV _BE напряжение, в то время как R ₁ (из-за текущих отношений) имеет умноженное напряжение PTAT V _R1 :

Зонная опорное напряжение ячейки V БГ появляется в комбинированной основе Q 1 и Q ₂ и представляет собой сумму V _BE (Q ₂ ) и V _R1 или 1.205 V , запрещенная зона Напряжение:

Однако из-за наличия резисторного делителя R ₅ / R ₆ и операционного усилителя фактическое напряжение, появляющееся при В _OUT , может быть увеличено, в данном случае 2,5 В . После этого общего В принципе, V _OUT можно повысить практически до любого другого практического уровня, например, с помощью выбираемые отводы для точных выходных значений 2,5, 5, 7,5 и 10 В .Буферный усилитель часто может обеспечить до 10 мА Выходной ток при работе от источников питания от 4,5 до 30 В . Эти виды ссылок могут иметь допуски на выход — всего 0,4%, а TC — всего 10 ppm / ° C.

ADALM1000 Лабораторное задание 9, ссылка на запрещенную зону
ADALM1000 Лабораторное мероприятие 10, ссылка на запрещенную зону

ADALM2000 Lab Activity 9, ссылка на запрещенную зону
ADALM2000 Lab Activity 10, ссылка на запрещенную зону

14.4 похоронен (под поверхностью) стабилитроны ссылки

С точки зрения подходов к проектированию, используемых в базовом ядре, два наиболее популярных базовых типа ИС ссылки состоят из подходов запрещенной зоны и скрытого стабилитрона. Запрещенные зоны уже обсуждались, но на основе стабилитрона ссылки требуют дальнейшего обсуждения.

В микросхемах поверхностное разрушение диодных контактов подвержено кристаллическим дефектам и другим загрязнение, таким образом, стабилитроны, образующиеся на поверхности, являются более шумными и менее стабильными, чем похоронены (или подповерхностные) (см. рисунок 14.17). Основанные на стабилитронах ссылки Analog Devices используют гораздо предпочтительнее похоронен стабилитрон Это существенно улучшает шум и дрейф стабилитронов, работающих на поверхности (см. Ссылка 4).

Погруженные ссылки на стабилитроны предлагают очень низкий температурный дрейф, вплоть до 1-2 ppm / ° C (AD588 и AD586), и самый низкий уровень шума в процентах от полной шкалы, , т. е. , 100 нВ, / √Гц или менее. С другой стороны, операционная Ток ссылок типа стабилитрона обычно относительно высок, обычно порядка мА, .Стабилитрон напряжение также относительно высокое, обычно порядка 5 В. Это ограничение его применения при низком напряжении схем. Блок-схема AD586 показана на рисунке 15.8.

Рисунок 14.17: Простой поверхностный стабилитрон против скрытого стабилитрона

Рисунок 14.18: Типичная ссылка на скрытый стабилитрон (AD586)

Важный общий момент возникает при сравнении шумовых характеристик разных эталонов. Лучший способ, чтобы сделать это, чтобы сравнить отношение шума (в пределах данной полосы пропускания) к выходному напряжению постоянного тока.Для Например, эталон 10 В с плотностью шума 100 нВ / кв. Гц на 6 дБ на тише в относительном выражении, чем 5 V эталонный с тем же уровнем шума.

Вернуться к предыдущей главе

Перейти к следующей главе

Вернуться к содержанию

университет / курсы / электроника / текст / chapter-14.txt · Последнее изменение: 06 июня 2017 г. 17:55 по dmercer

Клуб электроники — напряжение и ток

Следующая страница: Метры

См. Также: Мультиметры | Закон Ома

Напряжение и ток жизненно важны для понимания электроники, но их довольно трудно понять, потому что мы не можем видеть их напрямую.

напряжение является причиной, ток является следствием

Напряжение пытается создать ток, и ток будет течь, если цепь завершена.Напряжение иногда описывается как «толчок» или «сила» электричества, на самом деле это не сила, но это может помочь вам представить, что происходит. Можно иметь напряжение без тока, но ток не может течь без напряжения.

Напряжение и ток
Переключатель замкнут, что делает
замкнутой цепью, поэтому ток может течь

Напряжение, но без тока
Переключатель разомкнут, поэтому в
цепь разорвана, и ток
не может течь.

без напряжения и без тока
Без ячейки нет
источника напряжения, поэтому ток
не может течь.

, В

• Напряжение является мерой энергии , переносимой зарядом .
  Строго говоря: напряжение — это «энергия на единицу заряда».
• Правильное название для напряжения — , разность потенциалов — или п.д. коротко, но этот термин редко используется в электронике.
• Напряжение подается от батареи (или источника питания).
• Напряжение используется в компонентах , но не в проводах.
• Мы говорим, напряжение на компонент.
• Напряжение измеряется в Вольт , В .
• Напряжение измеряется с помощью вольтметра , соединенного в параллельно .
• Символ В используется для напряжения в уравнениях.

Подключение вольтметра параллельно

Напряжение в точке и 0 В (ноль вольт)

Напряжение составляет различий между двумя точками , но в электронике мы часто обращаемся к напряжения в точке означает разность напряжений между этой точкой и точкой отсчета 0В (ноль вольт).

Ноль вольт может быть любой точкой в ​​цепи, но для согласованности это обычно отрицательный вывод батареи или блока питания . Вы часто будете видеть принципиальные схемы помечены 0V в качестве напоминания.

В географии полезно думать о напряжении как о высоте. Контрольная точка нулевой высоты — средний (средний) уровень моря, и все высоты измеряются от этой точки. Ноль вольт в электронной цепи подобен среднему уровню моря в географии.

Ноль вольт для цепей с двойным питанием

Для некоторых цепей требуется два источника питания с и тремя соединениями , как показано на рисунке. диаграмма. Для этих схем нулевого вольт опорная точка является средним между терминалом две части поставки.

На сложных схемах с использованием двойного источника питания символ земли часто используется для обозначения подключение к 0 В, это помогает уменьшить количество проводов, нарисованных на диаграмме.

На схеме показано двойное питание ± 9 В, средний вывод — 0 В.

, я

• Ток — это скорость потока заряда .
• Ток не используется , то, что течет в компонент, должно вытечь.
• Мы говорим, ток через компонент.
• Ток измеряется в ампер (ампер) , А, .
• Ток измеряется с помощью амперметра , подключенного к серии .
  Для последовательного подключения необходимо разомкнуть цепь и поставить амперметр оцените разрыв, как показано на диаграмме.
• Символ I используется для тока в уравнениях.
  Почему буква, которую я использовал для тока? … пожалуйста, смотрите FAQ.

1A (1 ампер) — достаточно большой ток для электроники, поэтому часто используется мА (миллиампер). м (милли) означает «тысячная»:

1мА = 0,001А или 1000мА = 1А

Необходимость размыкания цепи для последовательного подключения означает, что амперметры сложны использовать на паяных цепях.Большая часть испытаний в электронике проводится с помощью вольтметров, которые могут быть легко подключенным, не нарушая цепи.

Подключение амперметра в серии

Напряжение и ток для компонентов серии

• Напряжения составляют для последовательно соединенных компонентов.
• Токи одинаковы для всех последовательно соединенных компонентов.

В этой цепи 4 В на резисторе и 2 В на светодиоде складываются Напряжение аккумулятора: 2 В + 4 В = 6 В.

Ток через все детали (аккумулятор, резистор и светодиод) составляет 20 мА.

Напряжение и ток для параллельных компонентов

• Напряжения одинаковы для всех компонентов, соединенных параллельно.
• Токи составляют для компонентов, соединенных параллельно.

В этой цепи аккумулятор, резистор и лампа имеют напряжение 6 В.

Ток 30 мА через резистор и ток 60 мА через лампу складываются до 90 мА через батарею.

Следующая страница: метров | Исследование

Политика конфиденциальности и файлы cookie

Этот сайт не собирает личную информацию. Если вы отправите электронное письмо, ваш адрес электронной почты и любая личная информация будет используется только для ответа на ваше сообщение, оно не будет передано никому другому. Этот сайт отображает рекламу, если вы нажмете на рекламодатель может знать, что вы пришли с этого сайта, и я могу быть вознагражден. Никакая личная информация не передается рекламодателям.Этот веб-сайт использует некоторые файлы cookie, классифицируемые как «строго необходимые», они необходимы для работы веб-сайта и не могут быть отклонены, но не содержат никакой личной информации. Этот веб-сайт использует службу Google AdSense, которая использует файлы cookie для показа рекламных объявлений, основанных на использовании вами веб-сайтов. (включая этот), как объяснено Google. Чтобы узнать, как удалять и контролировать куки из вашего браузера, пожалуйста, посетите AboutCookies.org.

electronicsclub.info © Джон Хьюз 2020

Сайт размещен на Tsohost

Вопросы с множественным выбором и ответы на FET

Вопросы и ответы с несколькими вариантами ответов на полевых транзисторах (полевые транзисторы)

В дополнение к чтению вопросов и ответов на моем сайте, я бы посоветовал вам также проверить следующее, на Амазонке:

Q1. JFET имеет три терминала, а именно …………

1. катод, анод, сетка
2. излучатель, база, коллектор
3. исток, ворота, сток
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q2.JFET по своему действию похож на …………. клапан

1. диод
2. Pentode
3. триод
4. тетрод

Ответ: 2

Q3. JFET также называется …………… транзистор

1. униполярный
2. биполярный
3. однопереходный
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q4. JFET — это ………… управляемое устройство

1. текущий
Напряжение
3. ток и напряжение
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q5.Ворота JFET предвзяты …

1. обратный
2. вперед
3. задний ход, как вперёд
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q6. Входной импеданс JFET составляет …………. это обычный транзистор

1. равно
2. менее
3. более
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q7. В p-канальном JFET носителями заряда являются ………….,

1. электронов
2. отверстий
3. электронов и дырок
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q8. Когда напряжение стока равно напряжению отсечки, ток стока …………. с увеличением напряжения на стоке

1. уменьшается
2. увеличивается
3. остается постоянным
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q9.Если обратное смещение на затворе JFET увеличивается, то ширина проводящего канала ………… ..

1. уменьшается
2. увеличивается
3. остается прежним
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q10. МОП-транзистор имеет …………… клеммы

1. два
2. пять
3. четыре
4. три

Ответ: 4

Q11. МОП-транзистором можно управлять с …………….,

1. только отрицательное напряжение затвора
2. только положительное напряжение на затворе
3. положительное и отрицательное напряжение на затворе
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q12. JFET имеет ……… .. усиление

1. малый
2. очень высокий
3. очень маленький
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q13. Входной параметр управления JFET: ……………

1. напряжение на затворе
2. напряжение источника
Напряжение питания
4. ток затвора

Ответ: 1

Q14.Общая базовая конфигурация pnp-транзистора аналогична ………… JFET

1. общая конфигурация источника
2. Общая конфигурация стока
3. Конфигурация общих ворот
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q15. JFET имеет высокое входное сопротивление, потому что …………

1. изготовлен из полупроводникового материала
2. вход с обратным смещением
3. примесных атомов
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q16.В JFET, когда напряжение стока равно напряжению отсечки, истощающие слои ………

1. почти касаются друг друга
2. имеют большой разрыв
3. имеют умеренный разрыв
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q17. В JFET I _DSS известен как ………… ..

1. сток к источнику тока
2. сток к источнику тока с короткозамкнутым затвором
3. сток к источнику тока с открытым затвором
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q18.Два важных преимущества JFET: ………… ..

1. с высоким входным сопротивлением и квадратичным свойством
2. недорогой и с высоким выходным сопротивлением
3. низкий входной импеданс и высокий выходной импеданс
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q19. …………. имеет самый низкий уровень шума

1. триод
2. обычный трнсистор
3. тетрод
4. JFET

Ответ: 4

Q20.МОП-транзистор иногда называют ………. JFET

1. много ворот
2. открытые ворота
3. изолированные ворота
4. коротких ворот

Ответ: 3

Q21. Какое из следующих устройств имеет самый высокий входной импеданс?

1. JFET
2. МОП-транзистор
3. Кристаллический диод
4. обычный транзистор

Ответ: 2

Q22. МОП-транзистор использует электрическое поле ……….контролировать текущий канал

1. конденсатор
2. аккумулятор
3. генератор
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q23. Напряжение отрыва в JFET аналогично ………. напряжение в вакуумной трубке

1. анод
2. катод
3. сетка отрезанная
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q24. Этот вопрос скоро будет доступен

Q25.В операции класса A входная цепь JFET имеет ………. предвзятый

1. вперед
2. обратный
3. не
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q26. Если затвор JFET сделан менее отрицательным, ширина проводящего канала ……….

1. остается прежним
2. уменьшается
3. увеличивается
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q27.Напряжение отрыва JFET составляет около ……….

1. 5 В
2. 0,6 В
3. 15 В
4. 25 В

Ответ: 1

Q28. Входной импеданс полевого МОП-транзистора имеет порядок ……… ..

1. Ом
2. несколько сот Ω
3. кОм
4. несколько МОм

Ответ: 4

Q29. Напряжение затвора в JFET, при котором ток стока становится равным нулю, называется ………., напряжение

1. насыщенность
2. отщипом
3. активный
4. отсечки

Ответ: 2

Q30. Этот вопрос скоро будет доступен

Q31. В FET есть ……… .. pn переходы по сторонам

1. три
2. четыре
3. пять
4. два

Ответ: 4

Q32. Транскондуктивность JFET варьируется от …………….,

1. от 100 до 500 мА / В
От
2. до 1000 мА / В
3. 0,5 — 30 мА / В
4. выше 1000 мА / В

Ответ: 3

Q33. Терминал источника JEFT соответствует ………… .. вакуумной трубки

1. плита
2. катод
3. сетка
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 2

Q34. Выходные характеристики JFET очень похожи на выходные характеристики ……….клапан

1. Pentode
2. тетрод
3. триод
4. диод

Ответ: 1

Q35. Если площадь поперечного сечения канала в n-канальном JEFT увеличивается, то ток стока ……….

1. увеличивается
2. уменьшается
3. остается прежним
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 1

Q36. Канал JFET находится между …………….

1. ворота и сток
2. сток и исток
3. ворота и источник
4. вход и выход

Ответ: 2

Q37. Для V _GS = 0 В ток стока становится постоянным, когда V _DS превышает ………

1. отрезают
2. V _DD
3. V _P
4. В

Ответ: 3

Q38. Определенный паспорт JFET дает V _{GS (выкл.)} = -4 В.Напряжение срабатывания V _p составляет …… ..

1. + 4 В
2. -4 В
3. зависит от V _GS
4. данных недостаточно

Ответ: 1

Q39. Область постоянного тока JFET лежит между

1. отсечки и насыщения
2. отрезают и отрезают
3. o и я _DSS
4. отрыв и поломка

Ответ: 4

Q40.При отключении канал JFET является ……….

1. в самом широком месте
2. полностью закрыт областью истощения
3. чрезвычайно узкий
4. обратная приманка

Ответ: 2

Q41. МОП-транзистор отличается от JFET главным образом тем, что ………………

1. номинальной мощности
2. полевой МОП-транзистор имеет
3. JFET имеет PN-переход
4. ничего из вышеперечисленного

Ответ: 3

Q42.Определенный D-MOSFET смещен на V _GS = 0 В. В его технических характеристиках указаны I _DSS = 20 мА и V _{GS (выкл.)} = -5 В. Значение тока стока составляет …………

1. 20 мА
2. 0 мА
3. 40 мА
4. 10 мА

Ответ: 1

Q43. N-канальный D-MOSFET с положительным V _GS работает в …………

1. режим обеднения
2. режим улучшения
3. отрезают
4. насыщенность

Ответ: 2

Q44.Определенный р-канал E-MOSFET имеет V _{GS (th)} = -2V. Если V _GS = 0 В, ток стока составляет ……….

1. 0 мА
2. I _{D (on)}
3. максимум
4. I _DSS

Ответ: 1

Q45. В усилителе JFET с общим источником выходное напряжение …………………

1. 180 ^o в противофазе со входом
2. в фазе с входом
3. 90 ^o в противофазе со входом
4. взято у источника

Ответ: 1

Q46.В определенном усилителе D-MOSFET с общим источником, V _ds = 3,2 В r.m. и V _gs = 280 мВ Коэффициент усиления по напряжению …………

1. 1
2. 11,4
3. 8,75
4. 3,2

Ответ: 2

Q47. В определенном усилителе CS JFET R _D = 1 кОм, R _S = 560 Ом, V _DD = 10 В и g _м = 4500 мкс. Если сопротивление источника полностью обойдено, коэффициент усиления по напряжению будет …………

1. 450
2. 45
3. 2.52
4. 4,5

Ответ: 4

Q48. Определенный JFET с общим источником имеет коэффициент усиления по напряжению 10. Если обводной конденсатор источника удален, ……………….

1. прирост напряжения увеличится
2. увеличится трансдуктивность
3. прирост напряжения уменьшится
4. сдвинется Q-точка

Ответ: 3

Q49. Усилитель CS JFET имеет сопротивление нагрузки 10 кОм, R _D = 820 Ом.Если g _м = 5 мс, а V _в = 500 мВ, напряжение выходного сигнала будет ……… ..

1. 2,05 В
2. 25 В
3. 0,5 В
4. 1,89 В

Ответ: 4

Q50. Если сопротивление нагрузки в приведенном выше вопросе (Q.49) будет снято, выходное напряжение будет …………

1. увеличение
2. уменьшение
3. остаются прежними
4. ноль

Ответ: 1

Q.51. Когда штифты MOSFET не используются, они имеют одинаковый потенциал благодаря использованию …………

1. упаковочная пленка
2. непроводящая пена
3. проводящая пена
4. ремешок на запястье

Ответ: 3

Q.52. D-МОП-транзисторы иногда используются последовательно для создания высокочастотного усилителя каскада для преодоления потерь ………… ..

1. Низкое выходное сопротивление
2. Емкостное сопротивление
3. с высоким входным сопротивлением
Индуктивное сопротивление

Ответ: 3

Q.53. Материал противоположной полярности в форме буквы U, построенный вблизи центра канала JFET, называется ……….

1. ворота
2. блок
3. сток
4. радиатор

Ответ: 1

Q.54. При испытании n-канального D-MOSFET, сопротивление G до D = , сопротивление G до S = , сопротивление D до SS = и 500 , в зависимости от полярности омметра, и сопротивление D до S = 500 , Что случилось?

1. от D до S
2. открыт G до D
3. открытое D к SS
4. ничего

Ответ: 4

Q.55. Как изменится I _DS в области постоянного тока в N-канальном JFET?

1. При уменьшении V _GS I _D уменьшается.
2. При увеличении V _GS I _D увеличивается
3. При уменьшении V _GS I _D остается постоянным.
4. При увеличении V _GS I _D остается постоянным.

Ответ: 1

Q.56. I _DSS можно определить как ………

1. минимально возможный ток утечки
2. максимально возможный ток при V _GS при -4 В
3. максимально возможный ток с V _GS при 0 В
4. максимальный ток утечки с закороченным источником

Ответ: 3

Q.57. Входное сопротивление JFET, настроенного для общего затвора, составляет …………

1. очень низкий
2. низкий
3. высокий
4. очень высокий

Ответ: 1

Q.58. Очень простое смещение для D-MOSFET называется …… ..

1. с автоматическим смещением
2. смещение ворот
3. смещение нуля
4. смещение делителя напряжения

Ответ: 3

Q.59. С E-MOSFET, когда входное напряжение затвора равно нулю, ток стока равен….,

1. при насыщении
2. ноль
3. I _DSS
4. расширение канала

Ответ: 2

Q.60. Какое напряжение в точке Q E-MOSFET для I- _D = 3 мА составляет 30 В,

DD и 8-омный резистор стока?
1. 6 В
2. 10 В
3. 24 В
4. 30 В

Ответ: 1

Q.61.Когда входной сигнал уменьшает размер канала, процесс называется …….

1. улучшение
2. подложка соединительная
3. плата за ворота
4. истощение

Ответ: 4

Q.62. Какая конфигурация JFET будет подключать источник сигнала с высоким сопротивлением к нагрузке с низким сопротивлением?

1. источник-последователь
2. с общим источником
3. общий сток
4. общие ворота

Ответ: 1

Q.63. Когда V _GS = 0 В, JFET составляет ……….

1. насыщенных
2. аналоговое устройство
3. открытый выключатель
4. открытый выключатель

Ответ: 1

Q.64. Электроны протекают через р-канал JFET от ……… .. до ………… ..

1. от истока до стока
2. от истока до ворот
3. от стока до ворот
4. от стока до источника

Ответ: 4

Q.65. Когда приложенное входное напряжение изменяет сопротивление канала, результат называется ………… ..

1. насыщение
2. поляризация
3. отсечки
4. эффект поля

Ответ: 4

Q.66. Когда используется вертикальный канал E-MOSFET?

1. для высоких частот
2. для высоких напряжений
3. для больших токов
4. для высоких сопротивлений

Ответ: 3

Q.67. Когда JFET больше не может контролировать ток, эта точка называется …………

1. регион пробоя
2. регион истощения
3. точка насыщения
4. край отреза

Ответ: 1

Q.68. С JFET отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения называется ……… ..

1. Транскондуктивность
2. сименс
3. Удельное сопротивление
4. усиление

Ответ: 1

Q.69. Какой тип смещения JFET требует отрицательного напряжения питания?

1. обратная связь
2. источник
3. ворота
4. делитель напряжения

Ответ: 3

Q.70. Как изменяется входное сопротивление D-MOSFET в зависимости от частоты сигнала?

1. По мере увеличения частоты входной импеданс увеличивается.
2. По мере увеличения частоты входной импеданс постоянен. ’
3. По мере уменьшения частоты входной импеданс увеличивается.
4. По мере уменьшения частоты входной импеданс постоянен.

Ответ: 3

Q.71. Тип смещения, наиболее часто используемого с цепями E-MOSFET, это ………….

1. постоянный ток
2. сток-обратная связь
3. делитель напряжения
4. смещение нуля

Ответ: 2

Q.72. Кривая трансдуктивности JFET представляет собой график …………… против ……….

1. I _S против V _DS
2. I _C против V _CE
3. I _D против V _GS
4. I _D × R _DS

Ответ: 3

Q.73. Усилитель JFET с общим источником имеет ……… ..

1. очень высокий входной импеданс и относительно низкий коэффициент усиления по напряжению
2. высокий входной импеданс и очень высокое усиление напряжения
3. высокий входной импеданс и усиление напряжения менее 1
4. без усиления по напряжению

Ответ: 1

Q.74. Общая входная емкость D-MOSFET с двумя затворами ниже, поскольку устройства обычно подключаются ……… ..

1. параллельно
2. с отдельной изоляцией
3. с отдельными входами
4. в серии

Ответ: 4

Q.75. Какой компонент считается «выключенным» девиком.

1. транзистор
2. JFET
3. D-MOSFET
4. E-MOSFET

Ответ: 4

Q.76. Что произойдет в n-канальном JFET при напряжении обрыва?

1. значение V _DS , при котором дальнейшее увеличение V _DS не приведет к дальнейшему увеличению I _D
2. значение V _GS , при котором дальнейшее уменьшение V _GS не приведет к дальнейшему увеличению I _D
3. значение V _DG , при котором дальнейшее уменьшение V _DG не приведет к дальнейшему увеличению I _D
4. значение V _DS , при котором дальнейшее увеличение V _GS не приведет к дальнейшему увеличению I _D

Ответ: 1

Ознакомьтесь с основным ресурсом Basic Electronics Вопросы и ответы. С сотнями разделенных на главы вопросов и ответов по Basic Electronics, это самый полный банк вопросов во всем Интернете.

В дополнение к чтению вопросов и ответов на моем сайте, я бы посоветовал вам также проверить следующее, на Амазонке:

,