Закрыть

Схема для проверки полевых транзисторов: Как проверить транзистор | Электрик

Содержание

Как проверить транзистор | Электрик



Часто в ремонте разной электронной техники возникает подозрение в неисправности биполярных или полевых (Mosfet) транзисторов. Помимо специализированных приборов и пробников для проверки транзисторов, существуют способы доступные всем, из минимума нам подойдет самый простой тестер или мультиметр.

Как мы знаем транзисторы, в основном, бывают двух разновидностей: биполярные и полевые, принцип работы их похож но способы проверки существенно отличаются, поэтому мы рассмотрим разные методы проверки для каждых транзисторов по отдельности.

Проверка биполярных транзисторов


Способы проверки биполярных транзисторов достаточно просты и для удобства нужно помнить что биполярный транзистор условно представляет из себя два диода с точкой по середине, по сути из двух p-n переходов.

Биполярные транзисторы существуют двух типов проводимости: p-n-p и  n-p-n что необходимо помнить и учитывать при проверке.

А диод как мы знаем, пропускает ток только в одну сторону, что мы и будем проверять.

Если так получится что ток проходит в обе стороны перехода то это явно указывает на то что транзистор «пробит» но это все условности, в реальности же при замере сопротивления ни в какой из позиций проверяемых переходов не должно быть «нулевого» сопротивления — поэтому это и есть самый простой способ выявления поломки транзистора.
Ну а теперь рассмотрим более достоверные способы проверки и поподробней.

И так выставляем тестер или мультиметр в режим прозвонки (проверка диодов), дальше нужно убедится в том что щупы вставлены в правильные разъемы (красный и черный), а на дисплее нет значка «разряжен». На дисплее должна быть единица а при замыкание щупов должны высветится нули (или близкие к нулям значения), также должен прозвучать звуковой сигнал. И так мы убедились в выборе правильного режима мультиметра, можем приступать к проверке.

И так поочередно проверяем все переходы транзистора:

  • База — Эмиттер — исправный переход будит вести себя как диод, то есть проводить ток только в одном направление.
  • База — Коллектор — исправный переход будит вести себя как диод, то есть проводить ток только в одном направление.
  • Эмиттер — Коллектор — в исправном состояние сопротивление перехода должно быть «бесконечное», то есть переход не должен пропускать ток или прозваниватmся ни в одном из положений полярности.

В зависимости от полярности транзистора (p-n-p или n-p-n) будит зависить лишь направление «прозвонки» переходов база-эмиттер и база-коллектор, с разной полярностью транзисторов направление будет противоположное.

Как определяется «пробитый» переход?
Если мультиметр обнаружит что какой ли бо из переходов (Б-К или Б-Э) в обоих из включений полярности имеет «нулевое» сопротивление и пищит звуковая индикация то такой переход пробит и транзистор неисправен.

Как определить обрыв p-n перехода?
Если один из переходов в обрыве — он не будит пропускать ток и прозваниватся ни в одну из сторон полярности как бы вы не меняли при этом полярность щупов.

Думаю всем понятно как проверять переходы транзистора, суть проверки такая же как у диодов, черный (минусовой) щуп ставим например на коллектор, а красный щуп (плюсовой) на базу и смотрим показания на дисплее. Затем меняем щупы тестера местами и смотрим показания снова. В исправного транзистора в одном случае должно быть какое то значение, как правило больше 100, в другом случае на дисплее должна быть единица «1» что говорит о «бесконечном» сопротивление.

Проверка транзистора стрелочным тестером


Принцип проверки все тот же, мы проверяем переходы (как диоды)
Отличие лишь в том что такие «омметры» не имеют режима прозвонки диодов и «бесконечное» сопротивление у них находится в начальном состояние стрелки, а максимальное отклонение стрелки будит уже говорить о «нулевом» сопротивление. К этому нужно просто привыкнуть и помнить о такой особенности при проверке.
Измерения лучше всего производить в режиме «1Ом» (можно пробовать и до *1000Ом пределе).

Для проверки в схеме (не выпаивая) стрелочным тестером можно даже более точно определить сопротивление перехода если он в схеме зашунтирован низкоомным резистором, например показания сопротивления в 20 Ом будет уже указывать о том что сопротивление перехода не «нулевое» а значит большая вероятность что переход исправен. С мультиметром же в режиме прозвонки диодов будит такая картина что он попросту будет показывать «кз» и пищать (тоже конечно зависит от точности прибора).

Если не известно где база, а где эмиттер и коллектор. Цоколевка транзистора?


У транзисторов средней и большой мощности вывод коллектора всегда на корпусе который переиначенный для закрепления на радиатора, так что с этим проблем не будит. А уже зная расположение коллектора, найти базу и эмиттер будит намного проще.
Ну а если транзистор малой мощности в пластмассовом корпусе где все выводы одинаковы будим применять такой способ:
Все что нам нужно — поочередно замерить все комбинации переходов прикасаясь щупами поочередно к разным выводам транзистора.

Нам нужно найти два перехода которые покажут бесконечность «1». Например: мы нашли бесконечность между правим-левим и правим-среднем, то есть по сути мы нашли и измеряли обратное сопротивления двух p-n переходов (как диодов) из этого размещение базы стает очевидным — база справа.
Дальше ищем где коллектор а где эмиттер, для этого от базы уже измеряем прямое сопротивление переходов и здесь все стает ясно так как сопротивление перехода база-Коллектор всегда меньше по сравнению с переходом база-Эмиттер.

Быстрая точная проверка транзистора


Если под руками есть мультиметр с функцией тестирования коэффициента усиления транзисторов — замечательно, проверка займет несколько секунд, здесь лишь надо будет определить правильную цоколевку (если конечно она не известна).
У таких мультиметров проверочные гнезда состоят из двух отделов p-n-p и n-p-n, а кроме того каждый отдел имеет три комбинации как можно вставить туда транзистор, то есть вместе не более 6 комбинаций, и только лишь одна правильная которая должна показать коэффициент усиления транзистора, за условий что он исправен.

Простой пробник


В данной схеме транзистор будет работать как ключ, схема очень простая и удобная если нужно часто и много проверять транзисторы.

Если транзистор рабочий — при нажатие кнопки светодиод светится, при отпускание гаснет.
Схема представлена для n-p-n транзисторов, но она универсальна, все что нужно сделать, это поставить параллельно к светодиоду еще один светодиод в обратной полярности, а при проверке p-n-p транзистора — просто менять полярность источника питания.

Если по данной методике что то идет не так, задумайтесь, а транзистор ли перед вами и случайно быть может он не биполярный, а полевой или составной.
Часто бывает путают при проверке составные транзисторы пытаясь их проверить стандартным способом, но нужно в первую очередь смотреть справочник или «даташит» со всем описанием транзистора.


Как проверить составной транзистор

Чтобы проверить такой транзистор его необходимо «запустить» то есть он должен как бы работать, для создания такого условия есть простой но интересный способ.
Стрелочным тестером, выставленным в режим проверки сопротивления (предел *1000?) подключаем щупы, плюсовой на коллектор, минусовой на эмиттер — для n-p-n (для p-n-p наоборот) — стрелка тестера не двинется сместа оставаясь в начале шкалы «бесконечность» (для цифрового мультиметра «1»)
Теперь если послюнявить палиц и замкнуть им прикоснувшысь к выводам базы и коллектора то стрелка сдвинется с места от того что транзистор немного приоткроется.
Таким же способом можно проверить любой транзистор даже не выпаивая з схемы.
Но следует помнить что некоторые составные транзисторы имеют в своем составе защитные диоды в переходе эмиттер-коллектор что дает им преимущество в работе с индукционной нагрузкой, например с электромагнитным реле.

Проверка полевых транзисторов

Здесь есть один отличительный момент при проверке таких транзисторов — они очень чувствительны к статическому электричеству которое способно вывести из строя транзистор если не соблюдать методы безопасности при проверке а также выпайке и перемещению. И в большей мере подвержены статике именно маломощные и малогабаритные полевые транзисторы.

Какие методы безопасности?
Транзисторы должны находится на столе на металлическом листе который подключен к заземлению. Для того чтобы снять с человека предельный статический заряд — применяют антистатический браслет который надевают на запястье.
Кроме того хранение и транспортировка особо чувствительных полевиков должна быть з закорочеными выводами, как правило выводы просто обматывают тонкой медной проволкой.

Полевой транзистор в отличие от биполярного

управляется напряжением, а не током как у биполярного, поэтому прикладывая напряжение к его затвору мы его или открываем (для N-канального) или закрываем (для P-канального).

Проверить полевой транзистор можно как стрелочным тестером так и цифровым мультиметром.
Все выводы полевого транзистора должны показывать бесконечное сопротивление, независимо от полярности и напряжения на щупах.

Но если поставить положительный щуп тестера к затвору (G) транзистора N-типа, а отрицательный — к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется. И уже измеряя сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов, например емкости затвора и сопротивления перехода.

Для P-канального типа транзистора полярность щупов обратная. Также для чистоты эксперимента, перед каждой проверкой необходимо закорачивать выводы транзистора пинцетом чтобы снять заряд с затвора после чего сопротивление сток-исток должно снова стать «бесконечным» («1») — если это не так то транзистор скорее всего неисправен.

Особенностью современных мощных полевых транзисторов (MOSFET’ов) есть то что канал сток-исток прозванивается как диод, встроенный диод в канале полевого транзистора есть особенностью мощных полевиков (явление производственного процесса).
Чтобы не посчитать такую «прозвонку» канала за неисправность просто следует помнить о диоде.

В исправном состояние переход сток-исток MOSFETа должен в одну сторону звониться как диод а в другую показывать бесконечность (в закрытом состояние — после закорачивания выводов) Если переход прозваниваеться в обе стороны с «нулевым» сопротивлением то такой транзистор «пробит» и неисправен

Наглядный способ (экспресс проверка)

  • Необходимо замкнуть выводы транзистора

  • Тестером в режиме прозвонки (диод) ставим плюсовой щуп к истоку, а минусовой к стоку (исправный покажет 0.5 — 0.7 вольта)

  • Теперь меняем щупы местами (исправный покажет «1» или по другому говоря бесконечное сопротивление)
  • Минусовой щуп ставим к истоку, а плюсовой на затвор (открываем транзистор)

  • Минусовой щуп оставляем на истоке, а плюсовой сразу ставим на сток, исправный транзистор будет открыт и покажет 0 — 800 милливольт

  • Теперь можем поменять плюсовой и минусовой щупы местами, в обратной полярности переход сток-исток должен иметь такое же сопротивление.

  • Плюсовой щуп ставим к истоку, а минусовой на затвор — транзистор закроется

  • Можем снова проверить переход сток-исток, он должен показывать снова «бесконечное» сопротивление так как транзистор уже закрыт (но помним про диод в обратной полярности)

Большая емкость затвора некоторых полевых транзисторов (особенно мощных) позволяет некоторое продолжительное время сохранять транзистор открытим, что позволяет нам открыв его проверять сопротивление сток-исток уже убрав плюсовой щуп с затвора. Но у транзисторов с малой емкостью затвора необходимо очень быстро перемещать щупы что бы зафиксировать правильную работу транзистора.


Примечание: для проверки P-канального полевого транзистора, процесс выглядит также но щупы мультиметра должны быть противоположной полярности. Для удобства можно перекинуть их местами (красный на минус, а черный на плюс) и использовать все туже описану выше инструкцию.

Проверяя транзистор по такой методике канал сток-исток можно открывать и закрывать даже пальцем, например чтобы открыть достаточно прикоснутся пальцем к затвору держась при этом второй рукой за плюс, а чтобы закрыть нужно все также прикоснутся к затвору но уже держась другим пальцем или второй рукой за минус. Интересный опыт который дает понимание того что транзистор управляется не током (как у биполярных) а напряжением.

Простая схема пробника для проверки полевых транзисторов


Можно собрать простую и эффективную схему проверки полевиков которая достаточно ясно даст понять о состояние транзистора, к тому же достаточно быстро можно перекидать транзисторы если их предстоит проверять часто и много. В некоторых схемах можно проверить транзистор даже полностью не выпаивая его с платы.

Схема универсальна как для P-канальных так и для N-канальных полевых транзисторов в ней присутствует два светодиода включенных в обратной полярности друг к другу (каждый для своего типа) и все что остается при смене типа проверяемого полевого транзистора — просто поменять полярность источника питания.

ПРОБНИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

   В радиолюбительских конструкциях все чаще встречаются полевые транзисторы (ПТ), особенно в схемах УКВ аппаратуры. Но многие отказываются от их сборки, хотя схемы простые, проверенные временем, так как в них применяются ПТ к которым предъявляются особые требования по описанию схем. В журналах и интернете описано много приборов и испытателей ПТ (5,6), но они сложны, ведь в домашних условиях сложно измерить основные параметры ПТ. Приборы для испытания ПТ очень дороги и покупать их ради подбора двух, трех ПТ нет смысла.

 

Схема испытателя для полевых транзисторов (уменьшенная)

   В домашних условиях возможно измерить, приблизительно, основные параметры ПТ и подобрать их. Для этого необходимо иметь как минимум два прибора, одним из которых измеряют ток, а другим напряжение, и два источника питания. Собрав схему (1, 2) вначале необходимо резистором R1 установить нулевое напряжение на затворе VT1, движок R1 в нижнем положение резистором R2 установить напряжение сток-исток Uси VT1 по справочнику, для проверяемого транзистора, обычно 10-12 вольт. Затем подключают прибор PA2, переведенный в режим измерения тока, в цепь стока и снимают показание, Iс.нач это начальный ток стока, его еще называют током насыщения ПТ при заданном напряжение сток-исток и нулевом напряжение затвор-исток. Затем медленно перемещая движок R1 за показанием PA2 и как только ток упадет практически до нуля (10-20 мкА) измерить напряжение между затвором и истоком, данное напряжение будет напряжением отсечки Uотс..

Работа ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

   Чтобы измерить крутизну характеристики SмА/В ПТ нужно снова устанавливают нулевое напряжение Uзи резистором R1, PA2 покажет Iс.нач. Резистором R1 так же медленно увеличивают напряжение Uзи до одного вольта по PA1, для упрощения расчета, PA2 покажет меньший ток Ic.измер. Если теперь разность двух показаний PA2 разделить на напряжение Uзи получившийся результат будет соответствовать крутизне характеристики: 

   SмА/В=Iс.нач — Iс.измер/Uзи.

   Так проверяются транзисторы с управляющим с p-n переходом и каналом p-типа, для ПТ n-типа нужно поменять полярность включения Uпит на обратное.

   Существуют также полевые транзисторы с изолированным затвором. Существуют две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами.

   Транзисторы первого типа можно использовать только в режиме обогащения. Транзисторы второго типа могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами или МОП-транзисторами (металл — оксид- полупроводник).


   В МОП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р-канале и положительного при n-канале). Это напряжение называют пороговым (Uпор). Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, эти транзисторы могут работать только в режиме обогащения.

   В МОП — транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготавливается технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор — исток транзистора с р — каналом или отрицательном напряжении транзистора с n -каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки (Uотс ). МОП — транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда.

   Работа МОП-транзистора с индуцированным p-каналом. При отсутствии смещения (Uзи = 0; Uси = 0) приповерхностный слой полупроводника обычно обогащен электронами. Это объясняется наличием положительно заряженных ионов в пленке диэлектрика, что является следствием предшествующего окисления кремния и фотолитографической его обработки.

   Напряжение на затворе, при котором индуцируется канал, называют пороговым напряжением Unoр. Так как канал возникает постепенно, по мере увеличения напряжения на затворе, то для исключения неоднозначности в его определении обычно задается определенное значение тока стока, при превышении которого считается, что потенциал затвора достиг порогового напряжения Unop.


   В транзисторах с встроенным каналом ток в цепи стока будет протекать и при нулевом напряжении на затворе. Для прекращения его необходимо к затвору приложить положительное напряжение (при структуре с каналом p-типа), равное или большее напряжения отсечки Uотc.

   При приложении отрицательного напряжения канал расширяется и ток увеличивается. Таким образом, МДП-транзисторы с встроенными каналами работают как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения.

   Иногда в структуре полевого МОП транзистора между истоком и стоком присутствует встроенный диод. На работу транзистора диод не влияет, поскольку в схему он включен в обратном направлении. В последних поколениях мощных МОП-транзисторов встроенный диод используется для защиты транзистора.

   Основными параметрами полевых транзисторов считаются;

 1. Начальный ток стока Iс.нач — ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю. Измеряют при заданном для транзистора данного типа значении постоянного напряжения Uси.

 2. Остаточный ток стока Iс.ост — ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки.

 3. Ток утечки затвора Iз.ут — ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.

 4. Обратный ток перехода затвор — сток Iзс.о — ток, протекающий в цепи затвор — сток при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами.

 5. Обратный ток перехода затвор — исток Iзи.о — ток, протекающий в цепи затвор — исток при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами.

 6. Напряжение отсечки Uотс — напряжение между затвором и истоком транзистора с р-n переходом или изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (обычно 10 мкА).

 7. Пороговое напряжение полевого транзистора Uпор — напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (обычно 10 мкА).

 8. Крутизна характеристик полевого транзистора S — отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

ПРОБНИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ самодельный

   Для этих измерений необходимо ввести еще и переключатель полярности напряжения между затвором и истоком. Комутируя этим переключателем полярность подаваемую на затвор проверяемого транзистора измеряют параметры ПТ. Процедура довольно долгая, а как быть если в наличие только один тестер. И в этом случае возможно проверить полевой транзистор, процесс проверки тот же что и описан выше, но только еще более длительный, так как нужно будет сделать очень много переключений и других операций. Такой способ для проверки и подборки ПТ не пригоден при покупке в магазинах и радиорынках.

   Как известно собрать вольтметр постоянного тока намного проще чем миллиамперметр, имея одну и туже головку, а комбинированные приборы есть у каждого радиолюбителя, даже у начинающих. Собрав прибор по схеме приведенной на рисунке, можно значительно облегчить процедуру проверки ПТ во много раз. Данный прибор могут сделать даже начинающие радиолюбители не имеющие опыта работы с ПТ. Прибор питается от 9 вольт от стабилизированного преобразователя напряжения собранной по схеме из журнала Радио (3).

   Принцип измерений параметров ПТ. Установив переключатели SA1-SA3, SB2 в нужное полжения, в зависимости от типа и канала проверяемого ПТ, подключают любой тестер, стрелочный или цифровой (предпочтительней), в гнезда XS1, XS2, переведенном в режим измерения постоянного тока, к гнездам XS3 подключить в соответствие с цоколем ПТ и включают прибор переключателем SA4.

   Все компоненты прибора установлены в подходящий корпус, размер которого зависит от размеров компонентов и примененной головки PA1. На лицевой стороне расположены PA1, SA1-SA3, XS1-XS2, R1, R2 с соответствующими надписями обозначающими функции. Преобразователь установлен в корпусе прибора, из которого выведен разъем для подключения к батарейке GB1.

Детали пробника

Детали пробника ПТ

   PA1 — микроамперметр типа М4200 с током 300 мкА, со шкалой на 15 В, возможно использовать другие, от его габаритов завесит размер корпуса, при подборе R3, R4 при настройке, R1, R2 — СП4-1, СПО-1 сопротивлением от 4,7 кОм до 47 кОм, R3, R4 — МЛТ-0,25, С2-23 и другие. Переключатели SA1 — 3П12НПМ, 12П3Н ,ПГ2, ПГ3, П2К, SB1 — П2К. Тумблеры SA2 — SA4 — МТ-1, П1Т-1-1 и другие.

   Трансформатор ТР1 в преобразователе выполнен в ферритовом броневом магнитопроводе внешним диаметром 30 и высотой 18 мм. Обмотка I содержит 17 витков провода ПЭЛ 1,0, обмотка II — 2х40 витков провода ПЭЛ 0,23. Возможно использовать другой сердечник с соответствующим перерасчетом.

   Транзисторы VT1 — КТ315, КТ3102, VT2, VT3 — КТ801А, КТ801Б, VT4 — КТ805Б и другие, диоды VD1, VD2 — КД522, КД521, VD4-VD7 — КД105, КД208, КД209 или диодный мост КЦ407, микросхема DD1 — К555ЛН1, К155ЛН1.

   В качестве XS3 используется кроватка для микросхем установленная на печатной плате и распаянная под тип ПТ (расположение выводов) для того чтобы не загибать выводы ПТ или другой разъем распаянный соответствующим образом. Монтаж объемный. На дно (задняя крышка) установлена плата преобразователя.

Настройка испытателя полевых транзисторов

   Налаживание прибора практически не требуется. Правильно собранный преобразователь, из исправных деталей, начинает работать сразу, выходное напряжение 15 В устанавливают подстроечным резистором R4 контролируя напряжение вольтметром.

   Затем движки резисторов R1, R2 устанавливают в нижнее по схеме положение, что соответствует нулевым напряжениям. Переключатель SA3 переводят в положение 1,5 В, а SA2 в положение Uзи. Подключив контрольный вольтметр к движку R1 перемещают его контролируя показание PA1 по контрольному вольтметру и если оно отличается подбирают сопротивление резистора R3. После подбора резистора R3 переключают SA3 в положение 15 В и далее перемещают движок R3 контролируя напряжение и если оно также не соответствует подбирают R4. Таким образом настраивают внутренний вольтметр прибора. После всех настроек закрывают заднюю крышку, прибор готов к работе.

ПРОБНИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 2

   Как показывает практика, для радиолюбителя важны следующие положения:

   1. Проверить исправность ПТ. Для этого обычно достаточно убедиться, что параметры его стабильны, не «плывут» и находятся в пределах справочных данных.

   2. Выбрать по определенным характеристикам из имеющихся у радиолюбителя всего нескольких экземпляров ПТ те, что больше подходят для применения в собираемой схеме. Обычно здесь работает качественный принцип «больше — меньше».

   Например, нужен полевой транзистор с большей S или меньшим напряжением отсечки. И из нескольких экземпляров выбирают тот, у которого лучше (больше или меньше) выбранный показател. Таким образом, высокая точность измеряемых параметров на практике часто не столь важна, как можно было бы думать.
Тем не менее, предлагаемый прибор позволяет с достаточно высокой точностью проверить работоспособность и важнейшие характеристики ПТ.

Работа с прибором

   Перед включением прибора переключателем SA1 устанавливают тип канала, SB2 устанавливают в обогащенный режим, резисторы R1, R2 устанавливают в нулевые положения, подключают к гнездам XS1 и XS2 тестер переведенный в режим для измерения тока на предел который указан в справочнике для данного ПТ, цифровой тестер с автоматическим изменением предела предпочтителен так как не нужно будет переключать пределы при измерениях. Переводят SA2 в положение Uси, а SA3 в положение 15 В. 

   Вставляют полевой транзистор в разъем XS3 в соответствие с цоколем проверяемого ПТ. Включив прибор резистором R2 устанавливают напряжение сток-исток Uси указанное в справочнике для данного транзистора. Переводят SA2 в положение Uзи, а SA3 в 1,5 В. Нажимают кнопку SB1 «Измер.» при этом тестер PA2 покажет какое то значение, например 0,8 мА на пределе 1 мА, это значение указывает начальный ток стока Iс.нач. Записывают это значение для данного ПТ. Затем медленно перемещают движок R1 «Uзи» контролируя при этом напряжение на затворе по PA1, напряжение Uзи увеличивают до тех пор пока ток стока Iс измеряемый тестером PA2 не уменьшится до минимального заданного как правило 10-20 мкА, переключая PA2 на пределы ниже. Как только ток уменьшится до заданного значения, снимают показание с PA1 (например 0,9 В), это напряжение является напряжением отсечки ПТ Uотс., его так же записывают.

   Для измерения крутизну характеристики SмА/В устанавливают тестер PA2 на тот предел который был установлен первоначально для данного транзистора и уменьшают Uзи до нуля, PA2 покажет Iс.нач. Резистором R1 медленно увеличивают Uзи до 1 В по PA1, PA2 покажет меньший ток Iс.измер. Если теперь вычесть из Iс.нач Iс.измер это и будет соответствовать численному значению крутизны характеристики SмА/В ПТ. Цифровой тестер с автоматическим изменением пределов предпочтительнее.

   Таким образом можно будет подобрать ПТ с близкими параметрами из одной партии с одинаковыми или разными буквенными индексами, ведь разные индексы указывают лишь на разброс параметров ПТ, так КП303А имеют Uотс. — 0,3-3,0 В, SмА/В — 1-4, а КП303В Uотс. — 1,0 — 4,0 В, SмА/В — 2-4, но некоторые ПТ с разными индексами могут иметь одинаковые значения при заданом напряжение сток-исток Uси. что не мало важно при подборке ПТ.

   Измерение параметров полевых транзисторов МОП-типа с встроенным каналом, режим обеднения. Переключателем SA1 устанавливают тип канала, SB2 устанавливают в режим обеднения, резисторы R1, R2 устанавливают в нулевые положения, подключают к гнездам XS1 и XS2 тестер переведенный в режим для измерения тока на предел который указан в справочнике для данного ПТ. Переводят SA2 в положение Uси, а SA3 в положение 15 В. Вставляют ПТ в разъем XS3 в соответствие с цоколем проверяемого ПТ. У двузатворных или с подложкой ПТ второй затвор, подложку подключают к контакту корпус «К» разъема XS3. Резистором R2 устанавливают напряжение сток-исток Uси указанное в справочнике для данного транзистора. Затем переводят SA2 в положение Uзи, а SA3 в положение 1,5 В. PA2 переводят в режим измерения минимального тока. Включив прибор нажимают кнопку SB1, микроамперметр PA2 покажет какой-то ток это и будет начальный ток стока Iс.нач.

   При увеличение напряжения Uзи ток стока Iс будет уменьшатся и при определенном значение станет минимальным около 10 мкА, снятое показания с РА2 будет напряжением отсечки Uотс.

   Для проверки транзистора в режиме обогащения переключатель SB2 переводят в положение «Обогащения» и увеличивают напряжение на затворе Uзи при этом ток стока Iс будет увеличиваться.

   Как было сказано выше, МОП-транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения. Измерение параметров полевых транзисторов МОП-типа с индуцированным каналом. Переключателем SA1 устанавливают тип канала, SB2 устанавливают в режим обогащения, резисторы R1, R2 устанавливают в нулевые положения, подключают к гнездам XS1 и XS2 тестер переведенный в режим для измерения тока на предел который указан в справочнике для данного ПТ. Переводят SA2 в положение Uси, а SA3 в положение 15 В. Вставляют ПТ в разъем XS3 в соответствие с цоколем проверяемого ПТ. 

   У двузатворных или с подложкой ПТ второй затвор, подложку подключают к контакту корпус «К» разъема XS3. Резистором R2 устанавливают напряжение сток-исток Uси указанное в справочнике для данного транзистора. Затем переводят SA2 в положение Uзи, а SA3 в положение 1,5 В. PA2 переводят в режим измерения минимального тока. Включив прибор нажимают кнопку SB1. При Uзи = 0 ток стока Iс = 0.

   Увеличивая напряжение Uзи следят за изменением тока стока Iс и при некотором напряжение Uзи ток стока начнет увеличиваться это будет пороговым напряжением Uпор. При дальнейшем его увеличение будет увеличиваться ток стока Iс.

   Данным прибором можно измерять параметры Iс.нач, Uотс., S ма/В ПТ средней и большой мощности, подав необходимое напряжение на внешний разъем XP1, по справочникам для данного ПТ, с добавлением необходимых пределов измерений внутренним вольтметром PA1, добавив необходимое число резисторов на переключатель SA3. Диоды VD5, VD6 при этом защищают преобразователь от внешнего напряжения.

   Если не требуется измерений точных значений Iс.нач и Uотс., а только подобрать ПТ с близкими параметрами, можно вместо PA2 включить индикаторы применяемые в бытовой технике для контроля уровней сигналов, М4762, М68501, М4248, М4223 и подобные, добавив к данным индикаторам переключатель и шунты на разные токи. Все остальные измерения производят по описанному выше методу. Данным прибором пользуюсь уже более шести лет. Он очень помогает при конструирование аппаратуры на полевых транзисторах, где к ним применяются особые требования.

   Литература:

 1. Простейшие способы проверки исправности электрорадиоэлементов в ремонтных и любительских условиях, стр. 70, 300 практических советов. Бастанов В.Г. — Моск. рабочий 1986 г.
 2. Измерение параметров и применение полевых транзисторов, — «Радио», 1969, №03, стр. 49-51
 3. Стабилизированный преобразователь напряжения — Радио №11 1981 стр. 61 (за рубежом).
 4. Занимательные эксперименты: некоторые возможности полевого транзистора — «Радио», номер 11, 1998г. Б.Иванов
 5. Приставка для проверки транзисторов. Радио № 1 – 2004, стр. 58-59.
 6. Испытатель полевых транзисторов — А. П. Кашкаров, А. Л. Бутов — Радиолюбителям схемы для дома стр. 242-246, МРБ-1275 2008г.
 7. Измерение параметров полевых транзисторов, — «Радио», 2007, №09, стр. 24-26.
 8. Меерсон А.М. Радиоизмерительная техника (3-е изд.). МРБ — Выпуск 0960 стр. 363-367. (1978)

   Конструкцию прислал на конкурс:Слинченков Александр Васильевич г. Озерск, Челябинская обл.

   Форум по измерителям и тестерам

   Обсудить статью ПРОБНИК ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ


Прибор для проверки любых транзисторов

Это очередная статья, посвященная начинающему радиолюбителю. Проверка работоспособности транзисторов пожалуй самое важно дело, поскольку именно нерабочий транзистор является причиной отказа работы всей схемы. Чаще всего у начинающих любителей электроники возникают проблемы с проверкой полевых транзисторов, а если под рукой нет даже мультиметра, то проверить транзистор на работоспособность очень трудно. Предложенное устройство позволяет за несколько секунд проверить любой транзистор, независимо от типа и проводимости. Прибор для проверки любых транзисторов

Устройство очень простое и состоит из трех компонентов. Основная часть — трансформатор. За основу можно взять любой малогабаритный трансформатор от импульсных блоков питания. Трансформатор состоит из двух обмоток. Первичная обмотка состоит из 24 витков с отводом от середины, провод от 0,2 до 0,8 мм.

Прибор для проверки любых транзисторов

Вторичная обмотка состоит из 15 витков провода того же диаметра, что и первичка. Обе обмотки мотаются в одинаковом направлении.

Прибор для проверки любых транзисторов

Светодиод подключен к вторичной обмотке через ограничительный резистор 100 ом, мощность резистора не важна, полярность светодиода тоже, поскольку на выходе трансформатора образуется переменное напряжение.
Присутствует также специальная насадка, в которую вставляется транзистор с соблюдением цоколевки. Для биполярных транзисторов прямой проводимости (типа КТ 818, КТ 814, КТ 816 , КТ 3107 и т. п.) база через базовый резистор 100 ом идет на одну из выводов (левый или правый вывод) трансформатора, средняя точка трансформатора (отвод) подключен к плюсу питания, эмиттер транзистора подключается к минусу питания, а коллектор к свободному выводу первичной обмотки трансформатора.

Прибор для проверки любых транзисторов

Для биполярных транзисторов обратной проводимости, нужно всего лишь поменять полярность питания. То же самое и с полевыми транзисторами, важно только не перепутать цоколевку транзистора. Если после подачи питание светодиод начинает светится, значит транзистор рабочий, если же нет, значит бросайте в мусор, поскольку прибор обеспечивает 100% точность проверки транзистора. Эти подключения нужно делать всего один раз, во время сборки прибора, насадка позволяет значительным образом сократить время проверки транзистора, нужно всего лишь вставлять транзистор в нее и подать питание.
Устройство по идее является простейшим блокинг — генератором. Питание 3,7 — 6 вольт, отлично подойдет всего один литий — ионный аккумулятор от мобильного телефона, но с аккумулятора заранее нужно выпаять плату, поскольку эта плата отключает питание потребление тока превышает 800 мА, а наша схема может в пиках потреблять такой ток.
Готовое устройство получается достаточно компактным, можно поместить в компактный пластмассовый корпус , например от конфет типа тик- так и у вас будет карманный прибор для проверки транзисторов на все случаи жизни.

Разбираемся, как проверить полевой транзистор мультиметром или другими приборами

Для тестирования прибора на работоспособность стоит узнать, как проверить полевой транзистор мультиметром – это самый простой и быстрый способ диагностики устройства. Перед тем, как приступить к тестированию прибора на предмет его исправности, необходимо на несколько секунд замкнуть фольгой щупы. Эта манипуляция снимет с него статическое напряжение.

Для проведения проверки подойдет любой цифровой мультиметр, имеющий режим прозвонки диода. Эта функция измеряет изменение напряжение при p-n-переходе. Тестируемая величина будет показана на экране измерительного прибора.

Лучше использовать современные модели мультиметров, имеющие самые различные режимы и работы и удобный экран. Это позволит сделать тестирование более удобным и точным. Подробный алгоритм проверки описан в данной статье. В качестве наглядного примера добавлено два наглядных видеоролика и интересный скачиваемый файл по теме практики.

Устройство транзистора.

Устройство транзистора.

Проверка встроенного обратного диода

Практически в любом современном полевом транзисторе, за исключением специальных их типов, параллельно цепи сток-исток включен внутренний «защитный» диод. Наличие этого диода внутри полевика обусловлено особенностями технологии производства мощных транзисторов. Иногда он мешает, считается паразитным, однако в большинстве полевых транзисторов без него, как части цельной структуры электронного компонента, не обойтись.

Следовательно, в исправном полевом транзисторе данный диод тоже должен быть исправным. В n-канальном полевом транзисторе данный диод включен катодом к стоку, анодом — к истоку, а в p-канальном — анодом к стоку, катодом — к истоку. Включите мультиметр в режим «прозвонки» диодов. Если полевой транзистор является n-канальным, то красный щуп мультиметра приложите к его истоку (source), а черный — к стоку (drain).

Транзисторы являются одними из самых широко применяемых радиоэлементов. Несмотря на свою надёжность, они нередко выходят из строя, что связано с нарушениями режима в их работе. При этом поиск неисправного элемента в связи со спецификой устройства полевого транзистора вызывает определённые трудности.

Обычно сток находится посередине и соединен с проводящей подложкой транзистора, а истоком является правый вывод (уточните это в datasheet). В случае если внутренний диод исправен, на дисплее мультиметра отобразится прямое падение напряжения на нем – в районе 0,4-0,7 вольт. Если теперь положение щупов изменить на противоположное, то прибор покажет бесконечность. Если все так, значит внутренний диод исправен.

Порядок измерений.

Порядок измерений.

Проверка цепи сток-исток

Полевой транзистор управляется электрическим полем затвора. И если емкость затвор-исток зарядить, то проводимость в направлении сток-исток увеличится. Итак, если транзистор является n-канальным, приложите черный щуп к затвору (gate), а красный — к истоку, и через секунду измените расположение щупов на противоположное — красный к затвору, а черный — к истоку. Так мы сначала наверняка разрядили затвор, а после — зарядили его. Затвор обычно слева, а исток — справа.

Теперь красный щуп переместите с затвора — на сток, а черный пусть останется на истоке. Если транзистор исправен, то как только вы переместите красный щуп с затвора на сток, мультиметр покажет что на стоке есть падение напряжения — это значит, что транзистор перешел в проводящее состояние.

Теперь красный щуп на исток, а черный — на затвор (разряжаем затвор противоположной полярностью), после чего снова красный щуп на сток, а черный — на исток. Прибор должен показать бесконечность — транзистор закрылся. Для p-канального полевого транзистора щупы просто меняются местами.

Проверка транзистора без выпаивания.

Проверка транзистора без выпаивания.

Если прибор запищит

Если на этапе проверки сток-исток прибор запищит, это может быть вполне нормальным, ведь у современных полевых транзисторов сопротивление сток-исток в открытом состоянии бывает очень маленьким. Как вариант, можно соединить затвор с истоком и в таком положении прозвонить сток-исток (для n-канального красный на сток, черный — на исток), прибор должен показать бесконечность.

Как проверить полевой транзистор

Главное — чтобы не было звона затвор-исток и сток-исток, особенно в тот момент когда затвор заряжен противоположной полярностью. 

 Как проверить полевой транзистор

Такой транзистор можно заменить практически любым n-канальным с напряжением между стоком и истоком больше или равно 40V и током стока больше или равно 30А, например IRFZ44, 40n10, 50N06 и т.п. При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов.

Характеристики полевых транзисторов

Основные характеристики полевых транзисторов.

Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания. Расположение выводов полевых транзисторов (Gate – Drain – Source) может быть различным. Часто выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S).

Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать некоторые правила безопасности.

Как проверить полевой транзистор

Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. При проверке чаще всего пользуются обычным омметром, у исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление, следует заметить, что тут могут быть некоторые исключения.

Например, если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный к истоку (S), емкость затвора зарядится и транзистор откроется. И тогда при замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое можно ошибочно принять за неисправность транзистора.

Как проверить полевой транзистор

Поэтому перед «прозвонкой» канала «сток-исток» замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным.

Интересно по теме: Как проверить стабилитрон.

В противном случае транзистор признается неисправным. В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод, поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежать досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора.

Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор.

Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида, вначале берем и выпаиваем транзистор, кладем его на стол лицом к себе, ноги обязательно должны быть в воздухе, ничего не касаться. Черный щуп слева на подложку (D – сток), красный на дальний от себя вывод справа (S – исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде ~502 мВ, транзистор закрыт .

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G – затвор и опять возвращаем его на дальний (S – исток), тестер показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться не 0, а ~150…170мВ): полевой транзистор открылся прикосновением.

Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G – затвор) ножки, не отпуская красного щупа и вернуть его на подложку (D – сток), то полевой транзистор закроется, и мультиметр снова будет показывать падение напряжения около 500мВ.

Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK. Открываем. Открыт. Закрываем. Закрыт. Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз – исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия.

Для этого просто меняем щупы мультиметра местами. Еще раз по-быстрому: Берем тестер на режиме проверки диодов. Кладем транзистор на стол лицом к себе, ноги в воздухе, ничего не касаются. Щупы тестера ставим так: минус в правую ногу, а плюс в левую. Это откроет транзистор. Плюс переносим на среднюю ногу.

советы по проверке транзистора

Тестер должен показать минимальное падение напряжения (около 10-50 мВ). (В случае мультиметра – показывает около 0, что-то типа “002”) Теперь плюс на правую ногу, а минусом на левую. Это закроет транзистор. Тестер показывает бесконечность. И опять плюс на среднюю ногу, а минус на правую. Тестер показывает бесконечность. (Минус на среднюю ногу, плюс на правую – показывает что-то около 500 – это встроенный диод, защитный, присутствует в большинстве мощных мосфетов).

Типы транзисторов.

Типы транзисторов.

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

  • с управляющим переходом;
  • с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия. В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью.

К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Как проверить полевой транзистор

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга. В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Важное по теме. Как проверить конденсатор.

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком.

Как проверить полевой транзистор

Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком. Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Типы переходов электронов и дырок.

Типы переходов электронов и дырок.

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние. Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях. Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

  1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
  2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
  3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
  4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку. На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.
  5. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Мультиметр.

Мультиметр.

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же. Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод.

Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность. Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Способы устранения

Для того, чтобы при проверке не повредить деталь, нужно применять при проверке такие мультиметры, у которых используется рабочее напряжения не более 1,5 в. Если в результате проверки на мультиметре было обнаружено, что полевой транзистор вышел из строя, то его необходимо заменить на новый.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

Чтобы проверить, исправен ли полевой транзистор, нужно его выпаять и прозвонить с мультиметром. Однако могут возникать ситуации, когда нужно в схеме есть несколько таких деталей и неизвестно, какие из них исправны, а какие — нет. В этом случае полезно знать, как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

  1. Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
  2. Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален.
  3. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.
  4. Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
  5. Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Эти данные позволяют получить предварительные выводы об используемых в схеме полевых транзисторах. Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Как проверить полевой транзистор

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять. При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче.

В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки. Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах.

Заключение

Более подробно о том как проверить полевой транзистор можно узнать из статьи Практикум по полевым транзисторам. Если у вас остались вопросы, можно задать их в комментариях на сайте. Также в нашей группе ВК можно задавать вопросы и получать на них подробные ответы от профессионалов.

Чтобы подписаться на группу, вам необходимо будет перейти по следующей ссылке: https://vк.coм/еlеctroinfonеt. В завершение статьи хочу выразить благодарность источникам, откуда мы черпали информацию:

www.electrik.info

www.kudashkin.com

www.rusenergetics.ru

www.electro-tehnyk.narod.ru

Предыдущая

ПрактикаКак правильно прозвонить транзистор?

Следующая

ПрактикаКак проверить тиристор на работоспособность?

Прибор для проверки мощных IGBT и MOSFET транзисторов (n-канал) Необходимость в таком приборе возникает каждый раз при ремонте сварочного инвертора – необходимо проверить мощный IGBT или MOSFET транзистор на предмет исправности, либо подобрать к исправному транзистору пару, либо при покупке новых транзисторов, убедиться, что это не «перемаркер». Эта тема неоднократно поднималась на множестве форумов, но так и не найдя готового (испытанного) или кем то сконструированного прибора, решил изготовить его самостоятельно.
Идея состоит в том, что необходимо иметь какую-то базу данных различных типов транзисторов, с которой сравнивать характеристики испытываемого транзистора, и если характеристики укладываются в определенные рамки, то его можно считать исправным. Все это делать по какой-то упрощенной методике и простым оборудованием. Необходимую базу данных придется собирать конечно же самому, но это все решаемо.

Прибор позволяет:
 — определить исправность (неисправность) транзистора
 — определить напряжение на затворе, необходимое для полного открытия транзистора
 — определить относительное падение напряжения на К-Э выводах открытого транзистора
 — определить относительную емкость затвора транзистора, даже в одной партии транзисторов есть разброс и его косвенно можно увидеть
 — подобрать несколько транзисторов с одинаковыми параметрами

Содержание / Contents

Принципиальная схема прибора представлена на рисунке.

Он состоит из источника питания 16В постоянного тока, цифрового милливольтметра 0-1В, стабилизатора напряжения +5В на LM7805 для питания этого милливольтметра и питания «световых часов» — мигающего светодиода LD1, cтабилизатора тока на лампе – для питания испытуемого транзистора, стабилизатора тока на LM317 — для создания регулируемого напряжения (при стабильном токе) на затворе испытуемого транзистора при помощи переменного резистора, и двух кнопок для открытия и закрытия транзистора.

Прибор очень прост по устройству и собран из общедоступных деталей. У меня в наличии был какой-то трансформатор с габаритной мощностью около 40Вт и напряжением на вторичной обмотке 12В. При желании, и в случае необходимости прибор можно питать от АКБ 12В / 0,6 Ач (например). Так же был в наличии китайский цифровой вольтметр-показометр с пределом измерения 0-1 В.

Я решил использовать питание от сети 220В, т.к на рынок для покупок с прибором не сильно пойдешь, да и сеть все же стабильнее, чем «севший» АКБ. Но… дело вкуса.
Далее, изучая и адаптируя вольтметр, обнаружил интересную его особенность, если на его клеммы L0 и HI подать напряжение, превышающее его верхний порог измерения (1В), то табло просто тухнет и он ничего не показывает, но стоит снизить напряжение и все возвращается к нормальной индикации (это все при постоянном питании +5В между клеммами 0V и 5V). Я решил использовать эту особенность. Думаю, что очень многие цифровые «показометры» имеют такую же особенность. Взять, к примеру, любой китайский цифровой тестер, если в режиме 20В на него подать 200В, то ничего страшного не произойдет, он лишь только высветит «1» и все. Такие табло, подобные моему сейчас есть в продаже.
Возможные варианты цифровых вольтметров 0-2 Вольта с доставкой.

Дальше расскажу о четырех интересных моментах по схеме и ее работе:
1. Применение лампы накаливания в цепи коллектора испытуемого транзистора обусловлено стремлением (первоначально было такое желание) визуально видеть, что транзистор ОТКРЫЛСЯ. Кроме того, лампа выполняет здесь еще 2 функции, это защита схемы при подключении «пробитого» транзистора и некоторая стабилизация тока (54-58 mA), протекающего через транзистор при изменении сети от 200 до 240В. Но «особенность» моего вольтметра позволила первую функцию игнорировать, при этом даже выиграв в точности измерений, но об этом позже…
2. Применение стабилизатора тока на LM317 позволило НЕ сжечь случайно переменный резистор (когда он в верхнем по схеме положении) и случайно нажатых двух кнопках одновременно, или при испытании «пробитого» транзистора. Величина ограниченного тока в этой цепи даже при коротком замыкании равна 12 mA.
3. Применение 4 шт диодов IN4148 в цепи затвора испытуемого транзистора для медленного разряда емкости затвора транзистора, когда напряжение на его затворе уже снято, а транзистор находится еще в открытом состоянии. Они имеют какой-то ничтожный ток утечки, которым и разряжается емкость.
4. Применение «моргающего» светодиода в качестве измерителя времени (световые часы) при разряде емкости затвора.
Из всего вышесказанного становится абсолютно понятно, как все работает, но об этом чуть позже более подробно… Далее был приобретен корпус и все эти комплектующие расположены внутри.

Внешне получилось даже не плохо, за исключением того, что не умею я пока рисовать шкалы и надписи на компьютере, но… В качестве гнезд для испытуемых транзисторов замечательно подошли остатки каких то разъемов. Одновременно был изготовлен выносной кабель для транзисторов с «корявыми» ногами, которые не влезут в разъем.

Ну и вот так это выглядит в работе:

1. Включаем прибор в сеть, при этом начинает моргать светодиод, «показометр» не светится
2. Подключаем испытуемый транзистор (как на фото выше)
3. Устанавливаем ручку регулятора напряжения на затворе в крайнее левое положение (против часовой стрелки)
4. Нажимаем на кнопку «Откр» и одновременно потихоньку прибавляем регулятор напряжения по часовой стрелке до момента зажигания «показометра»
5. Останавливаемся, отпускаем кнопку «Откр», снимаем показания с регулятора и записываем. Это есть напряжение открытия.
6. Поворачиваем регулятор до упора по часовой стрелке
7. Нажимаем кнопку «Откр», зажжется «показометр», снимаем с него показания и записываем. Это есть напряжение К-Э на открытом транзисторе
8. Возможно, что за время, потраченное на записи, транзистор уже закрылся, тогда открываем его еще раз кнопкой, и после этого отпускаем кнопку «Откр» и нажимаем кнопку «Закр» — транзистор должен закрыться и «показометр» соответственно потухнуть. Это есть проверка целостности транзистора – открывается и закрывается
9. Опять открываем транзистор кнопкой «Откр» (регулятор напряжения в максимуме) и, дождавшись ранее записанных показаний, отпускаем кнопку «Откр» одновременно начиная подсчитывать количество вспышек (морганий) светодиода
10. Дождавшись потухания «показометра» записываем количество вспышек светодиода. Это и есть относительное время разряда емкости затвора транзистора или время закрытия (до увеличения падения напряжения на закрывающемся транзисторе более чем 1В). Чем это время (количество) больше, тем соответственно емкость затвора больше.

Дальше проверяем все имеющиеся транзисторы, и все данные сводим в таблицу.
Именно из этой таблицы и происходит сравнительный анализ транзисторов – фирменные они или «перемаркеры», соответствуют своим характеристикам или нет.

Ниже приведена таблица, которая получилась у меня. Желтым выделены транзисторы, которых не оказалось в наличии, но я ими точно когда то пользовался, поэтому оставил их на будущее. Безусловно, в ней представлены не все транзисторы, которые проходили через мои руки, кое что просто не записал, хотя пишу вроде всегда. Безусловно у кого то при повторении этого прибора может получиться таблица с несколько иными цифрами, это возможно, т.к цифры зависят от многих вещей: от имеющейся лампочки или трансформатора или АКБ, например.


Из таблицы видно, чем отличаются, транзисторы, например G30N60A4 от GP4068D. Отличаются временем закрытия. Оба транзистора применяются в одном и том же аппарате – Телвин, Техника 164, только первые применялись немного раньше (года 3, 4 назад), а вторые применяются сейчас. Да и остальные характеристики по ДАТАШИТ у них приблизительно одинаковы. А в данной ситуации все наглядно видно – все налицо.

Кроме того, если у Вас получилась табличка всего из 3-4 или 5 типов транзисторов, и остальных просто нет в наличии, то можно, наверное, посчитать коэффициент «согласованности» ваших цифр с моей таблицей и, используя его, продолжить свою таблицу, используя цифры из моей таблицы. Думаю, что зависимость «согласованности“ в этой ситуации будет линейной. Для первого времени, наверное хватит, а потом подкорректируете свою таблицу со временем.
На этот прибор я потратил около 3 дней, один из которых покупал некоторую мелочевку, корпус и еще один на настройку и отладку. Остальное работа.

Безусловно, в приборе возможны варианты исполнения: например применение более дешевого стрелочного милливольтметра (необходимо подумать об ограничении хода стрелки вправо при закрытом транзисторе), использовании вместо лампочки еще одного стабилизатора на LM317, применении АКБ, установить дополнительно переключатель для проверки транзисторов с p-каналом и т.д. Но принцип при этом в приборе не изменится.

Еще раз повторюсь, прибор не измеряет величин (цифр) указанных в ДАТАШИТАХ, он делает почти то же самое, но в относительных единицах, сравнивая один образец с другим. Прибор не измеряет характеристик в динамическом режиме, это только статика, как обычным тестером. Но и тестером не все транзисторы поддаются проверке, да и не все параметры можно увидеть. На таких я обычно ставлю маркером знак вопроса «?»

Можно соорудить и проверку в динамике, поставить маленький ШИМ на К176 серии, или что-то подобное.
Но прибор вообще простой и бюджетный, а главное, он привязывает всех испытуемых к одним рамкам.

Камрад, рассмотри датагорские рекомендации

Сергей (s237)

Украина, Киев

Меня зовут Сергей, проживаю в Киеве, возраст 46 лет. Имею свой автомобиль, свой паяльник, и даже, свое рабочее место на кухне, где ваяю что либо интересное.

Люблю качественную музыку на качественном оборудовании. У меня есть древненький Техникс, на нем все и звучит. Женат, есть взрослые дети.

Бывший военный. Работаю мастером по ремонту и регулировке сварочного, в том числе инверторного, оборудования, стабилизаторов напряжения и многого другого, где присутствует электроника.

Достижений особых не имею, кроме того, что стараюсь быть методичным, последовательным и, по возможности, доводить начатое до конца. Пришел к Вам нетолько взять, но и по возможности — дать, обсудить, поговорить. Вот кратко и все.

 

мосфет или полевик, мультиметром не выпаивая, с изолированным затвором на неисправность

Использование полевых транзисторов очень распространено. Если происходит поломка необходимо найти неисправную деталь. Иногда требуется точно определить, работоспособен ли полевой транзистор. Это возможно выполнить с использованием мультиметра. Как проверить полевик — подробнее рассказывается далее.

Полевой транзистор — что это

Он включает три основных элемента — исток, затвор и сток. Для их создания используются полупроводники n-типа и p-типа. Они могут сочетаться одним из способов:

  1. Сток, исток соответствуют n-типу, а затвор — p-типу. Их называют транзисторы n-p-n типа.
  2. Такие, у которых используется полярность p-n-p. Тип проводимости у каждой части транзистора изменён на противоположный в сравнении с предыдущим вариантом.
Проверка мультиметром

Если эту деталь соединить с источником питания, то ток будет отсутствовать. Но всё будет иначе, если это сделать между истоком и затвором или стоком и затвором. Нужно, чтобы к затвору было приложено напряжение, соответствующее по знаку его типу проводимости (положительное для p-типа, отрицательное для n-типа). Тогда через эту деталь потечёт ток. Чем более высокое напряжение было подано на затвор, тем он будет сильнее.

Отличие полевого от биполярного транзистора

Транзистор станет открытым при условии, что на затвор подаётся разность потенциалов нужной полярности. В этом случае при помощи электрического поля создаётся канал между истоком и стоком, через который могут перемещаться электрические заряды. У других разновидностей транзисторов управление происходит на основе тока, а не напряжения.

Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами. Это слово происходит из аббревиатуры MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (в переводе это означает: металл-окисел-полупроводник полевой транзистор).

Разновидности полевиков

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

  • с управляющим переходом;
  • с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия.

В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью. К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Транзистор с управляющим переходом

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Устройство транзистора

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком. Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Транзистор открыт

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Назначение выводов

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

  1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
  2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
  3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
  4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.
Проверка диода в прямом направлении

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

Проверка диода в обратном направлении
  1. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Работа полевого МДП транзистора

Способы устранения

Для того, чтобы при проверке не повредить деталь, нужно применять при проверке такие мультиметры, у которых используется рабочее напряжения не более 1,5 в.

Если в результате проверки на мультиметре было обнаружено, что полевой транзистор вышел из строя, то его необходимо заменить на новый.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

Чтобы проверить, исправен ли полевой транзистор, нужно его выпаять и прозвонить с мультиметром. Однако могут возникать ситуации, когда нужно в схеме есть несколько таких деталей и неизвестно, какие из них исправны, а какие — нет. В этом случае полезно знать, как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая.

Цифровой мультиметр

В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

Важно! После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

  1. Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
  2. Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.
С управляющим p-n-переходом
  1. Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
  2. Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Эти данные позволяют получить предварительные выводы об используемых в схеме полевых транзисторах.

Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Подготовка к работе

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.

При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

cxema.org — Пробник для проверки полевых транзисторов

Пробник для проверки полевых транзисторов

Привет всем тем кто читает эту статью, в ней я хочу рассказать вам про пробник для маломощных полевых транзисторов. Этим пробником можно проверять, транзисторы серии КП103, КП302 и другие. Вот схема самого пробника.

Пробник для проверки полевых транзисторов, схема

Смотря на схему, можно видеть, что в пробнике нет дефицитных деталей, все детали можно найти на чердаке. Этот пробник сможет собрать даже начинающий радиолюбитель, тут ни чего сложного нет. Ну чтож, приступим к сборке. Для этого пробника, я не делал печатной платы, я спаял его навесным монтажом, на макетной плате. Вот фото.

Пробник для проверки полевых транзисторов, деталиПробник для проверки полевых транзисторов, собранная плата

Пробник для проверки полевых транзисторов, собранное устройствоПробник для проверки полевых транзисторов, собранная плата

Пробник для проверки полевых транзисторов, в работе

После сборки, нужно убедится в работоспособности, к устройству нужно подключить несколько заведомо рабочих транзисторов различных типов. Так теперь про настройку устройства, нужно подобрать резистор R3 такого сопротивления, чтобы напряжение на коллекторе транзистора, было 2-3 вольта.Транзистор КТ315, можно заменить на КТ312. Теперь самое главное, как же проверять полевые транзисторы этим пробником. Тут все просто, когда подаем питание, то светодиод горит непрерывно, а когда вставляем полевой транзистор, то светодиод начинает мигать с некоторой частотой. Питание пробника с 3,7 до 12 вольт. Ну вот и все, остальное посмотрите в видео.

DIY Electronic.

Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

90000 Researchers speed up transistors by embedding tunneling field-effect transistor 90001 90002 Schematic view of an SFG memory cell. A pn junction diode between the FG and D makes the FG semi-floating. The device’s symbolic representation is also shown. Credit: 90003 Science 90004 9 August 2013: Vol. 341 no. 6146 pp. 640-643 DOI: 10.1126 / science.1240961 90005 (Phys.org) -Researchers at Fudan University in China have discovered a way to speed up traditional computer transistors by embedding tunneling field-effect transistors (TFETs) in them.In their paper published in the journal 90003 Science 90004, the team describes how embedding TFETs in such transistors allows for them to be run with less power, which in turn causes them to run faster. 90008 90005 Most modern computers are run with either metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) or a variation of them called floating-gate (FG) MOSFETs.Such transistors are now reaching their physical limit as far as how thin they can be-just a few atoms thick. For that reason, researchers have been looking for other ways to get more bang for their buck. In this new effort, the researchers turned to TFETs, which use quantum tunneling to move electrons through very thin material. 90008 90005 TFETs have traditionally been used in very low power devices. In this endeavor, they researchers created a TFET that could be used to control the electrodes that monitor the flow of electricity into a MOSFET-in this case, the floating-gate variety (it has an additional electrode gate that allows a charge to be retained ).The idea is that if the gate could be made to open and close faster, the transistor as a whole would operate faster. Current chips require a build-up of charge before the gate can be opened or closed-which requires time. TFETs, because they require less power, do not take as long to do their work, thus embedding one in a floating gate-MOSFET would alleviate the necessity of power buildup prior to gate changes, allowing for quicker opening and closing. That’s exactly what the team in China has done.Testing thus far has shown MOSFETs with embedded TFETs have improved transistor speeds as well as reduced power requirements. 90008 90005 The team reports that because of the way their TFETs are constructed, embedding them in current model MOSFETs should not require reconfiguration or the use of any new materials. This means that the new TFET technology could be put into use almost immediately, bumping up the speed of computers and hand held devices while lessening the amount of energy used, resulting in longer battery life.90008 90015 New design reduces the areal footprint of nanowire transistors by a factor of two 90015 90017 More information: 90018 A Semi-Floating Gate Transistor for Low-Voltage Ultrafast Memory and Sensing Operation, 90003 Science 90004 9 August 2013: Vol.341 no. 6146 pp. 640-643 DOI: 10.1126 / science.1240961 90005 90022 ABSTRACT 90023 90024 As the semiconductor devices of integrated circuits approach the physical limitations of scaling, alternative transistor and memory designs are needed to achieve improvements in speed, density, and power consumption. We report on a transistor that uses an embedded tunneling field-effect transistor for charging and discharging the semi-floating gate. This transistor operates at low voltages (? 2.0 volts), with a large threshold voltage window of 3.1 volts, and can achieve ultra-high-speed writing operations (on time scales of ~ 1 nanosecond). A linear dependence of drain current on light intensity was observed when the transistor was exposed to light, so possible applications include image sensing with high density and performance. 90008 90005 © 2013 Phys.org 90008 90005 90017 Citation 90018: Researchers speed up transistors by embedding tunneling field-effect transistor (2013, August 9) retrieved 13 July 2020 from https: // phys.org / news / 2013-08-transistors-embedding-tunneling-field-effect-transistor.html 90008 90005 This document is subject to copyright. Apart from any fair dealing for the purpose of private study or research, no part may be reproduced without the written permission. The content is provided for information purposes only. 90008 .90000 Development of compact model for tunnel field-effect transistors 90001 90002 Flow to the design of a large-scale integrated circuit using low-voltage tunnel FETs. A circuit can be designed by using the device-operation model to represent the characteristics of developed devices. 90003 Japanese researchers have developed a compact model for circuit simulation to predict the circuit behavior of tunnel field-effect transistors (tunnel FETs).This device-operation model simulates current-voltage characteristics by predicting the electric field distribution in a tunnel FET and estimating the tunnel current. It is described in Verilog-A language and therefore can be incorporated into existing major circuit simulators. The model is expected to contribute to the design of tunnel FETs aiming at the realization of ultra-low-power circuits. 90004 90003 In recent years, with the wide spread of mobile information devices and the increasing sophistication of IT equipment, there has been growing concern about increasing power consumption.There has also been growing social demand for reduction in the power consumption of electronic information devices. However, reduction in the power consumption of conventional metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is reaching its limit. Breakthrough, revolutionary low-power large-scale integrated circuits (LSIs) are required to build a low-carbon society. 90004 90003 In recent years, attention has been focused on tunnel FETs, which is capable of steep on / off switching at low voltage, as an alternative to the conventional MOSFETs.Use of the tunnel FETs is expected to reduce the power consumption of LSIs. Circuit simulation to determine whether new designs of LSI meet performance requirements is essential. However, it is difficult to take into account the tunnel effect in predictions of the current-voltage characteristics of tunnel FETs, and there is no tunnel FET device-operation model that can be used for circuit simulation. 90004 90009 Structure and device principle of the tunnel FET.The dotted gray lines indicate the off state. 90003 A tunnel FET is a transistor that controls on / off switching by inducing tunneling with a gate voltage, unlike the MOSFET used in conventional LSIs. The energy levels of the valence band and the conduction band of the channel are rapidly changed by controlling the gate voltage. As a result, as the energy level of the conduction band of the channel approaches that of the valence band of the source, tunneling occurs between the source and the channel, and current flows through the transistor.The tunnel FET based on this principle switches current on and off at a lower voltage than a conventional MOSFET and is capable of steep switching. If the switching is steep, the tunnel FET can operate at a lower voltage than a conventional MOSFET. As a result, an LSI using tunnel FETs can also operate at a lower voltage. 90004 90012 Steep switching characteristics of the tunnel FET. 90003 The developed compact model for tunnel FETs can calculate the tunnel current generated in the FET from the terminal voltages of the source, drain, and gate.First, the model predicts the electric field distribution at the location in the tunnel FET where the tunnel current is generated. The tunnel distance can be obtained from the electric field distribution, allowing estimation of the amount of the generated tunnel current. Because the model can be used to predict the electrical characteristics of individual devices, a circuit simulator with the model can quickly predict the performance of a circuit with multiple devices connected to it. This makes it possible to design an LSI circuit that uses tunnel FETs.In addition, the model is described in Verilog-A language and therefore can be incorporated into various circuit simulators. 90004 90015 Comparison between the electrostatic potential distribution predicted by the compact model and numerical simulation results Electrostatic potential distributions in the direction of the arrow at the interface for different gate voltages (Vgs) are shown. 90003 Because a circuit simulation deals with multiple devices simultaneously, the model is expressed by analytical equations that can be calculated instantly.The validity of this model was evaluated by comparison with numerical simulations, including a numerical analysis method that divides a device structure into a group of small regions and solves equations (the finite element method). The electrostatic potential distributions in the cross-section of the tunnel FET along the gate dielectric layer are shown. The electrostatic potential distribution predicted by this model agrees well the numerical simulation, which takes 10 minutes to 1 hour for the calculation of one device.The tunnel distance can be obtained from the electrostatic potential distribution, making it possible to quickly and accurately calculate the amount of the tunnel current. 90004 90018 Comparison between measured values ​​and results of a simulation of current-voltage characteristics of the tunnel FET Note: The difference in values ​​near a gate voltage of 0 V is due to the leakage current through the gate dielectric layer observed in the measurement and is not specific to tunnel FETs.It can be suppressed by device design and therefore was ignored in the calculation. 90003 The researchers intend to provide the developed compact model to researchers of low-power circuits and to thereby accelerate the development of low-power LSIs that use tunnel FETs. 90004 90021 The impending revolution of low-power quantum computers 90021 Provided by Advanced Industrial Science and Technology 90003 90024 Citation 90025: Development of compact model for tunnel field-effect transistors (2012, November 2) retrieved 13 July 2020 from https: // phys.org / news / 2012-11-compact-tunnel-field-effect-transistors.html 90004 90003 This document is subject to copyright. Apart from any fair dealing for the purpose of private study or research, no part may be reproduced without the written permission. The content is provided for information purposes only. 90004 .90000 PPT — Chapter 4 Field-Effect Transistors PowerPoint Presentation, free download 90001 90002 90003 90004 Chapter 4Field-Effect Transistors 90005 Microelectronic Circuit Design Richard C. Jaeger Travis N. Blalock Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap4-1 90006 90007 90008 90003 90004 Chapter Goals 90005 • Describe operation of MOSFETs and JFETs. • Define FET characteristics in operation regions of cutoff, triode and saturation. • Develop mathematical models for i-v characteristics of MOSFETs and JFETs.• Introduce graphical representations for output and transfer characteristic descriptions of electron devices. • Define and contrast characteristics of enhancement-mode and depletion-mode FETs. • Define symbols to represent FETs in circuit schematics. • Investigate circuits that bias transistors into different operating regions. • Learn basic structure and mask layout for MOS transistors and circuits. • Explore MOS device scaling Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-2 90006 90007 90014 90003 90004 Chapter Goals (contd.) 90005 • Contrast 3 and 4 terminal device behavior. • Descibe sources of capacitance in MOSFETs and JFETs. • Explore FET modeling in SPICE. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-3 90006 90007 90020 90003 90004 Types of Field-Effect Transistors 90005 • MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) • Primary componenet in high-density VLSI chips such as memories and microprocessors • JFET ( Junction Field-Effect Transistor) • Finds application especially in analog and RF circuit design Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-4 90006 90007 90026 90003 90004 MOS Capacitor Structure 90005 • First electrode- Gate: Consists of low-resistivity material such as polycrystalline silicon • Second electrode- substrate or Body: n- or p-type semiconductor • Dielectric-Silicon dioxide: stable high-quality electrical insulator between gate and substrate.Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-5 90006 90007 90032 90003 90004 Substrate Conditions for Different Biases 90005 • Accumulation • VG << VTN • Depletion • VG VTN Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-6 90006 90007 90038 90003 90004 Low-frequency CV Characteristics for MOS Capacitor on 90005 P-type Substrate • MOS capacitance is non-linear function of voltage. • Total capacitance in any region dictated by the separation between capacitor plates.• Total capacitance modeled as series combination of fixed oxide capacitance and voltage-dependent depletion layer capacitance. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-7 90006 90007 90044 90003 90004 NMOS Transistor: Structure 90005 • 4 device terminals: Gate (G), Drain (D), Source (S) and Body (B). • Source and drain regions form pn junctions with substrate. • vSB, vDSand vGS always positive during normal operation. • vSB always VTN: Channel formed between source and drain. If vDS> 0 ,, finite iD flows from drain to source. • iB = 0 andiG = 0. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-9 90006 90007 90056 90003 90004 NMOS Transistor: Triode Region Characteristics 90005 for where, Kn = Kn’W / L Kn ‘= μnCox’ ‘(A / V2) Cox’ ‘= εox / Tox εox = oxide permittivity (F / cm) Tox = oxide thickness (cm) Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-10 90006 90007 90062 90003 90004 NMOS Transistor: Triode Region Characteristics (contd.) 90005 • Output characteristics appear to be linear. • FET behaves like a gate-source voltage-controlled resistor between source and drain with Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-11 90006 90007 90068 90003 90004 MOSFET as Voltage-Controlled Resistor 90005 Example 1: Voltage-Controlled Attenuator If Kn = 500μA / V2, VTN = 1V, R = 2kΩ and VGG = 1.5V, then, If Kn = 500μA / V2, VTN = 1V, R = 2kΩ and VGG = 1.5V, then, To maintain triode region operation, or or Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-12 90006 90007 90074 90003 90004 MOSFET as Voltage-Controlled Resistor (contd.) 90005 Example 2: Voltage-Controlled High-Pass Filter Voltage Transfer function, where, cut-off frequency If Kn = 500μA / V2, VTN = 1V, C = 0.02μF and VGG = 1.5V, then, To maintain triode region operation , Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-13 90006 90007 90080 90003 90004 NMOS Transistor: Saturation Region 90005 • If vDS increases above triode region limit, channel region disappears, also said to be pinched-off. • Current saturates at constant value, independent of vDS. • Saturation region operation mostly used for analog amplification.Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-14 90006 90007 90086 90003 90004 NMOS Transistor: Saturation Region (contd.) 90005 for is also called saturation or pinch-off voltage Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-15 90006 90007 90092 90003 90004 Transconductance of a MOS Device 90005 • Transconductance relates the change in drain current to a change in gate-source voltage • Taking derivative of the expression for the drain current in saturation region, Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-16 90006 90007 90098 90003 90004 Channel- Length Modulation 90005 • As vDS increases abovevDSAT, length of depleted channel beyond pinch-off point, DL, increases and actual L decreases.• iD increases slightly with vDSinstead of being constant. l = channel length modulation parameter Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-17 90006 90007 90104 90003 90004 Depletion-Mode MOSFETS 90005 • NMOS transistors with • Ion implantation process used to form a built-in n-type channel in device to connect source and drain by a resistive channel • Non-zero drain current for vGS = 0, negative vGS required to turn device off. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-18 90006 90007 90110 90003 90004 Transfer Characteristics of MOSFETS 90005 • Plots drain current versus gate-source voltage for a fixed drain-source voltage Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-19 90006 90007 90116 90003 90004 Body Effect or Substrate Sensitivity 90005 • Non-zero vSBchanges threshold voltage, causing substrate sensitivity modeled by where VTO = zero substrate bias for VTN (V) g = body-effect parameter () 2FF = surface potential parameter (V) Microelectronic Circuit Design McGraw- Hill Chap1-20 90006 90007 90122 90003 90004 Enhancement-Mode PMOS Transistors: Structure 90005 • P-type source and drain regions in n-type substrate.• vGS <0 required to create p-type inversion layer in channel region • For current flow, vGS VGS-VTN. Hence saturation region assumption is correct. Q-pt: (34.4 mA, 6.08 V) with VGS = 2.66 V Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-36 90006 90007 90218 90003 90004 Bias Analysis: Example 2 (Four-Resistor Biasing) 90005 Analysis with body effect using same assumptions as in example 1: • Estimate value of ID and use it to find VGS and VSB • Use VSB to calculate VTN • Find ID ‘using above 2 steps • If ID’ is not same as original ID estimate, start again.Iterative solution can be found by following steps: Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-37 90006 90007 90224 90003 90004 Bias Analysis: Example 2 (Four-Resistor Biasing) (contd.) 90005 The iteration sequence leads to ID = 88.0 mA VDS> VGS-VTN. Hence saturation region assumption is correct. Q-pt: (88.0 mA, 6.48 V) Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-38 90006 90007 90230 90003 90004 and ID = 130 mA 90005 Bias Analysis: Example 3 (Two-Resistor Biasing) Since VGS VGS-VTN. Hence saturation region assumption is correct. Q-pt: (130 mA, 2.00 V) Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill Chap1-39 90006 90007 90236 90003 90004 Bias Analysis: Example 4 (Biasing in Triode Region) 90005 Also But VDS VTN Accumulation Depletion Inversion Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90026 90003 90004 Low-frequency CV Characteristics for MOS Capacitor on 90005 P-type Substrate • MOS capacitance is non-linear function of voltage.• Total capacitance in any region dictated by the separation between capacitor plates. • Total capacitance modeled as series combination of fixed oxide capacitance and voltage-dependent depletion layer capacitance. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90032 90003 90004 NMOS Transistor: Structure 90005 • 4 device terminals: Gate (G), Drain (D), Source (S) and Body (B). • Source and drain regions form pn junctions with substrate. • vSB, vDSand vGS always positive during normal operation.• vSB always VTN: Channel formed between source and drain. If vDS> 0 ,, finite iD flows from drain to source. • iB = 0 andiG = 0.Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90044 90003 90004 NMOS Transistor: Triode Region Characteristics 90005 for where, Kn = Kn’W / L Kn ‘= mnCox’ ‘(A / V2) Cox’ ‘= ox / Tox ox = oxide permittivity (F / cm) Tox = oxide thickness (cm) Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90050 90003 90004 NMOS Transistor: Triode Region Characteristics (contd.) 90005 • Output characteristics appear to be linear. • FET behaves like a gate-source voltage-controlled resistor between source and drain with Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90056 90003 90004 MOSFET as Voltage-Controlled Resistor 90005 Example 1: Voltage-Controlled Attenuator If Kn = 500mA / V2, VTN = 1V, R = 2k and VGG = 1.5V, then, To maintain triode region operation, or or Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90062 90003 90004 MOSFET as Voltage-Controlled Resistor (contd.) 90005 Example 2: Voltage-Controlled High-Pass Filter Voltage Transfer function, where, cut-off frequency If Kn = 500mA / V2, VTN = 1V, C = 0.02mF and VGG = 1.5V, then, To maintain triode region operation, Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90068 90003 90004 NMOS Transistor: Saturation Region 90005 • If vDS increases above triode region limit, channel region disappears, also said to be pinched-off.• Current saturates at constant value, independent of vDS. • Saturation region operation mostly used for analog amplification. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90074 90003 90004 NMOS Transistor: Saturation Region (contd.) 90005 for is also called saturation or pinch-off voltage Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90080 90003 90004 Transconductance of a MOS Device 90005 • Transconductance relates the change in drain current to a change in gate-source voltage • Taking the derivative of the expression for the drain current in saturation region, Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90086 90003 90004 Channel-Length Modulation 90005 • As vDS increases abovevDSAT , length of depleted channel beyond pinch-off point, DL, increases and actual L decreases.• iD increases slightly with vDSinstead of being constant. l = channel length modulation parameter Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90092 90003 90004 Depletion-Mode MOSFETS 90005 • NMOS transistors with • Ion implantation process used to form a built-in n-type channel in device to connect source and drain by a resistive channel • Non-zero drain current for vGS = 0, negative vGS required to turn device off. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90098 90003 90004 Transfer Characteristics of MOSFETS 90005 • Plots drain current versus gate-source voltage for a fixed drain-source voltage Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90104 90003 90004 Body Effect or Substrate Sensitivity 90005 • Non-zero vSBchanges threshold voltage, causing substrate sensitivity modeled by where VTO = zero substrate bias for VTN (V) g = body-effect parameter () 2FF = surface potential parameter (V) Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90110 90003 90004 NMOS Model Summary 90005 Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90116 90003 90004 Enhancement-Mode PMOS Transistors: Structure 90005 • P-type source and drain regions in n-type substrate.• vGS <0 required to create p-type inversion layer in channel region • For current flow, vGS VGS-VTN. Hence saturation region assumption is correct. Q-pt: (50.0 mA, 5.00 V) with VGS = 3.00 V Discussion: The Q-point of this circuit is quite sensitive to changes in transistor characteristics, so it is not widely used. Since IG = 0, Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90212 90003 90004 Bias Analysis: Example 2 (Load Line Analysis) 90005 Problem: Find Q-pt (ID, VDS, VGS) Approach: Find an equation for the load line.Use this to find Q-pt at intersection of load line with device characteristic. Assumption: Transistor is saturated, IG = IB = 0 Analysis: For circuit values ​​above, load line becomes Use this to find two points on the load line. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90218 90003 90004 Bias Analysis: Example 2 (Load Line Analysis) (contd.) 90005 @ VDS = 0, ID = 100uA @ ID = 0, VDS = 10V Plotting on device characteristic yields Q-pt at intersection with VGS = 3V device curve. Check: The load line approach agrees with previous calculation.Q-pt: (50.0 mA, 5.00 V) with VGS = 3.00 V Discussion: Q-pt is clearly in the saturation region. Graphical load line is good visual aid to see device operating region. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90224 90003 90004 Bias Analysis: Example 3 (Constant Gate-Source Voltage 90005 Biasing with Channel-Length Modulation) Assumption: Transistor is saturated, IG = IB = 0 Analysis: Simplify circuit with Thevenin transformation to find VEQ and REQ for gate-bias voltage.Find VGS and then use this to find ID.With ID, we can then calculate VDS. Problem: Find Q-pt (ID, VDS, VGS) of previous example, given  = 0.02 V-1. Approach: Assume operation region, find Q-point, check to see if result is consistent with operation region Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90230 90003 90004 Bias Analysis: Example 3 (Constant Gate-Source Voltage 90005 Biasing with Channel-Length Modulation ) Check: VDS> VGS-VTN. Hence saturation region assumption is correct. Q-pt: (54.5 mA, 4.55 V) with VGS = 3.00 V Discussion: The bias levels have changed by about 10%. Typically, component values ​​will vary more than this, so there is little value in including  effects in most circuits. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90236 90003 90004 Bias Analysis: Example 4 (Four-Resistor Biasing) 90005 Assumption: Transistor is saturated, IG = IB = 0 Analysis: First, simplify circuit, split VDD into two equal-valued sources and apply Thevenin transformation to find VEQ and REQ for gate-bias voltage Problem: Find Q-pt (ID, VDS) Approach: Assume operation region, find Q-point, check to see if result is consistent with operation region Microelectronic Circuit Design McGraw- Hill 90006 90007 90242 90003 90004 Bias Analysis: Example 4 (Four-Resistor Biasing) 90005 Since VGS VGS-VTN. Hence saturation region assumption is correct. Q-pt: (34.4 mA, 6.08 V) with VGS = 2.66 V Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90248 90003 90004 Bias Analysis: Example 5 (Four-Resistor Biasing with Body 90005 Effect) Analysis with body effect using same assumptions as in example 1: • Estimate value of ID and use it to find VGS and VSB • Use VSB to calculate VTN • Find ID ‘using above 2 steps • If ID’ is not same as original ID estimate, start again.Iterative solution can be found by following steps: Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90254 90003 90004 Bias Analysis: Example 5 (Four-Resistor Biasing) (contd.) 90005 The iteration sequence leads to ID = 88.0 mA, VTN = 1.41 V , VDS> VGS-VTN. Hence saturation region assumption is correct. Q-pt: (88.0 mA, 6.48 V) Check: VDS> VGS — VTN, therefore still in active region. Discussion: Body effect has decreased current by 12% and increased threshold voltage by 40%. Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90260 90003 90004 Bias Analysis: Example 6 (Two-Resistor Feedback Biasing) 90005 Since VGS VGS-VTN. Hence saturation region assumption is correct. Q-pt: (130 mA, 2.00 V) Microelectronic Circuit Design McGraw-Hill 90006 90007 90266 90003 90004 Bias Analysis: Example 7 (Biasing in Triode Region) 90005 Also But VDS

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *