Шим 200d6 схема включения: Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 2

Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 2

Основное отличие контроллеров ИСН от описанных в предыдущей части статьи интегральных импульсных стабилизаторов — отсутствие встроенного силового ключа.

Все статьи цикла:

• Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 1, (Компоненты и технологии №2’2006)
• Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 2, (Компоненты и технологии №3’2006)
• Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 3, (Компоненты и технологии №4’2006)
• Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 4, (Компоненты и технологии №5’2006)

Контроллеры импульсных стабилизаторов напряжения

Основное отличие контроллеров ИСН от описанных в предыдущей части статьи интегральных импульсных стабилизаторов — отсутствие встроенного силового ключа. Наряду с очевидным недостатком — необходимостью внешних навесных элементов, данный класс ИМС обладает и некоторыми достоинствами по сравнению с интегральными стабилизаторами. В первую очередь, это повышенная гибкость — как в выборе топологии, так и в достижении требуемых выходных параметров. Большой выбор современных полевых МОП-транзисторов позволяет создавать на базе одного схемотехнического решения (то есть с использованием одного и того же контроллера ИСН) импульсные источники электропитания с выходными параметрами (мощностью, током, напряжением), отличающимися на несколько порядков. Таким образом, основными областями применения контроллеров ИБП являются источники питания высокой мощности (от нескольких десятков ватт), изделия, требующие частого изменения выходных параметров, либо «линейки» идентичных устройств с разными параметрами выхода.

LM5020

LM5020 — высоковольтный ШИМ-контроллер с токовым режимом управления и входным напряжением до 100 В. Содержит все необходимые функциональные блоки для построения однотактных импульсных преобразователей напряжения.

Выходное напряжение стабилизируется при помощи токового режима управления, что облегчает построение схем компенсации и обеспечивает присущую данному режиму реакцию на изменения входного напряжения. В состав ИС LM5020 входит высоковольтный пусковой стабилизатор, сохраняющий работоспособность вшироком диапазоне входных напряжений вплоть до 100 В. Высокоскоростной ШИМ-контроллер способен работать на частотах генератора до 1 МГц, обладая суммарными задержками сигнала менее 100 нс. Кроме того, ИМС содержит усилитель ошибки, прецизионный источник опорного напряжения, компаратор просадки входного напряжения, схему потактового ограничения максимального тока, встроенную компенсацию наклона пилы, устройство плавного пуска, схему синхронизации тактового генератора и встроенную защиту от перегрева. Контроллер выпускается в корпусах MSOP-10 и LLP-10. Его блок-схема представлена на рис. 1.

Рис. 1. Блок-схема высоковольтного ШИМ-контроллера LM5020

Основные характеристики:

• Встроенный пусковой стабилизатор.
• Усилитель ошибки.
• Прецизионный источник опорного напряжения.
• Программируемый плавный пуск.
• Пиковый ток встроенного драйвера затвора — 1 А.
• Ограничение максимального значения коэффициента заполнения (80% для LM5020-1, 50% для LM5020-2).
• Программируемый порог компаратора просадки входного напряжения с регулируемым гистерезисом.
• Потактовая защита от превышения максимально допустимого тока.
• Встроенная компенсация наклона пилы (только у LM5020-1).
• Программируемая частота генератора, возможность синхронизации.
• Нечувствительный к импульсным помехам вход токового датчика (Leading Edge Blanking).
• Защита от перегрева.
• Миниатюрные корпуса MSOP-10 и LLP-10 (4×4 мм).

LM5021

LM5021 — высокоэффективный ШИМ-контроллер с токовым режимом управления, предназначенный для построения сетевых блоков питания по прямоходовой (forward) и обратноходовой (flyback) топологиям и содержащий все необходимые для этого функциональные модули. Пусковой ток данной ИС составляет всего 25 мкА, что позволяет минимизировать энергопотребление при питании от высоковольтного источника. Контроллер LM5021 способен работать в режиме пропуска импульсов, гарантирующем снижение потребляемой мощности при реализации источников питания дежурного режима, обеспечивая при этом совместимость со стандартами ENERGY STAR®, CECP и т. д. Кроме этого, ИМС содержит компаратор просадки входного напряжения, схему потактового ограничения максимального тока, прерывистый режим (hiccup mode) для защиты от долговременных перегрузок, встроенную компенсацию наклона пилы, устройство плавного пуска и схему синхронизации тактового генератора. Тактовая частота генератора задается одним резистором и способна достигать величины 1МГц, суммарные задержки сигнала при этом не превышают 100 нс. Контроллер выпускается в 8-выводном корпусе, типовая схема его включения приведена на рис. 2.

Рис. 2. Типовая схема включения ШИМ-контроллера LM5021

Основные характеристики:

• Сверхнизкий пусковой ток (максимум 25 мкА).
• Токовый режим управления.
• Режим пропуска импульсов для источников питания дежурного режима.
• Установка рабочей частоты одним резистором.
• Синхронизируемый генератор.
• Регулируемое устройство плавного запуска.
• Пиковый ток встроенного драйвера затвора — 1 А.
• Непосредственное подключение оптопары обратной связи.
• Ограничение максимального значения коэффициента заполнения (80% для LM5021-1, 50% для LM5021-2).
• Встроенная компенсация наклона пилы (только у LM5021-1).
• Компаратор просадки входного напряжения с гистерезисом.
• Потактовая защита от превышения максимально допустимого тока.
• Прерывистый режим для защиты от длительных перегрузок.
• Нечувствительный к импульсным помехам вход токового датчика.
• Корпуса MSOP-8 и MDIP-8.

LM5025

ШИМ-контроллер импульсных преобразователей напряжения LM5025 содержит все необходимые функциональные модули для построения источников питания с активным демпфированием. Контроллер может быть сконфигурирован для управления как n-канальным, так и p-канальным ключом демпфера. Использование топологии активного демпфирования позволяет повысить эффективность источников и увеличить их удельную мощность (по сравнению с обычными RCD-демпферами). ИМС имеет два выхода — первый (OUT_A) управляет основным силовым ключом, второй (OUT_B) управляет ключом активного демпфера. Имеется возможность переключения режимов управления ключами — либо с перекрытием (при использовании

p-канальных ключей), либо с гарантированным мертвым временем (в том случае, когда используются n-канальные ключи). Встроенные драйверы силовых МОП-ключей имеют композитную структуру (комбинацию из полевых и биполярных ключей), что позволяет добиться непревзойденных характеристик. Высокоскоростной ШИМ-контроллер способен работать на частотах генератора до 1 МГц, суммарные задержки сигнала при этом не превышают 100 нс, включая схему измерения тока. В LM5025 имеется встроенный высоковольтный пусковой стабилизатор с диапазоном входных напряжений от 13 до 90 В. Кроме этого, ИМС содержит компаратор просадки входного напряжения, устройство плавного пуска, схему синхронизации тактового генератора с возможностью как повышения, так и понижения частоты, прецизионный источник опорного напряжения и систему защиты от тепловых перегрузок. Типовая схема включения контроллера LM5025 приведена на рис. 3.

Рис. 3. Типовая схема включения прямоходового преобразователя с активным демпфированием на базе ШИМ-контроллера LM5025

Основные характеристики:

• Встроенный пусковой стабилизатор.
• Пиковый ток встроенного композитного драйвера затвора основного ключа — 3 А.
• Программируемый порог компаратора просадки входного напряжения с регулируемым гистерезисом.
• Режим управления по напряжению с обратной связью по входному напряжению (Feed-Forward).
• Регулируемая двухступенчатая защита от превышения максимально допустимого тока.
• Программируемое мертвое время, либо перекрытие между основным ключом и ключом демпфера.
• Вольт-секундное демпфирование.
• Программируемый плавный пуск.
• Подавление импульсных помех по фронту сигнала (Leading Edge Blanking).
• Установка частоты генератора при помощи одного резистора.
• Синхронизируемый генератор (позволяет как повышать, так и понижать частоту).
• Прецизионный источник опорного напряжения 5 В.
• Защита от перегрева.
• Корпуса TSSOP-16 и LLP-16 (5×5 мм) с улучшенными тепловыми характеристиками.

LM5030/LM5033

Двухтактный (push-pull) ШИМ-контроллер с режимом управления по току (LM5030) или напряжению (LM5033) и входным напряжением до 100 В. Высоковольтные ШИМ-контроллеры LM5030/LM5033-монолитные миниатюрные (выпускаются в 10-выводном корпусе) интегральные схемы, содержащие все необходимые функциональные блоки для построения двухтактных импульсных преобразователей напряжения топологий push-pull, полумост и мост с режимом управления по току (LM5030) или напряжению (LM5033). ИМС LM5033 могут применяться как в режиме замкнутой ОС с высокостабильным выходным напряжением, так и в режиме разомкнутой ОС, образуя нестабилизированный «трансформатор постоянного напряжения» для использования в качестве вспомогательных источников питания с КПД > 95%.

ИМС содержат два противофазных выхода драйверов ключей с гарантированным мертвым временем. В LM5030/LM5033 имеется встроенный высоковольтный пусковой стабилизатор с диапазоном входных напряжений от 14 до 100 В. Кроме того, ИМС содержат усилитель ошибки, прецизионный источник опорного напряжения, двухступенчатую защиту от превышения максимально допустимого тока, встроенную компенсацию пилы, устройство плавного запуска, схему синхронизации тактового генератора и систему защиты от тепловых перегрузок. Тактовая частота генератора достигает 1 МГц и задается одним резистором, суммарные задержки сигнала при этом не превышают 100 нс. Блок-схема контроллера LM5030 приведена на рис. 4, а контроллера LM5033 — на рис. 5.

Рис. 4. Блок-схема высоковольтного ШИМ-контроллера LM5030

Рис. 5. Типовая схема включения прямоходового преобразователя с активным демпфированием на базе ШИМ-контроллера LM5025

Основные характеристики:

• Встроенный высоковольтный пусковой стабилизатор.
• Установка рабочей частоты одним резистором.
• Синхронизируемый генератор.
• Усилитель ошибки.
• Прецизионный источник опорного напряжения.
• Программируемый плавный пуск.
• Двухступенчатая защита от превышения максимально допустимого тока.
• Встроенная компенсация наклона пилы.
• Непосредственное подключение оптопары обратной связи.
• Пиковый ток встроенного драйвера затвора — 1,5 А.
• Защита от перегрева.
• Миниатюрные корпуса MSOP-10 и LLP-10 (4×4 мм) с улучшенными тепловыми характеристиками.

Области применения:

• Импульсные источники вторичного электропитания для устройств телекоммуникации.
• Промышленные источники питания.
• Автомобильные устройства для использования в системах с напряжением бортовой сети +42 В.
• Вспомогательные DС/DC-конвертеры.

LM5032/LM5034

Сдвоенные ШИМ-контроллеры LM5032/LM5034 с токовым управлением содержат все необходимые функциональные блоки для построения либо двух независимых прямоходовых (forward) импульсных преобразователей напряжения с активным демпфированием (только LM5034), либо одного преобразователя с высоким выходным током и попеременным режимом работы (interleave). Два канала контроллера работают в противофазе, что позволяет строить на его базе преобразователи с высоким выходным током и малым уровнем пульсаций. ИМС LM5032/LM5034 содержат встроенный высоковольтный пусковой стабилизатор с диапазоном входных напряжений до 100 В и встроенные композитные (полевые и биполярные ключи) драйверы силовых транзисторов, обеспечивающие вытекающий ток 2,5 А. LM5034 также содержит драйвер ключа активного демпфера с регулируемым мертвым временем. Оба контроллера имеют возможность регулировки максимального коэффициента заполнения, что позволяет снизить пиковые нагрузки на силовые MOSFET-ключи. Кроме того, эти ИМС содержат регулируемый компаратор просадки входного напряжения, схему потактового ограничения максимального тока, прерывистый режим (hiccup mode) для защиты от долговременных перегрузок с программируемым периодом рестарта, встроенную компенсацию пилы, устройство плавного запуска и синхронизируемый тактовый генератор с максимальной рабочей частотой 2 МГц. Типовая схема включения контроллера LM5032 приведена на рис. 6, а контроллера LM5034 — на рис. 7.

Рис. 6. Типовая схема включения преобразователя с двумя независимыми выходами на базе ШИМ-контроллера LM5032

Рис. 7. Типовая схема включения преобразователя с двумя независимыми выходами на базе ШИМ-контроллера LM5034

Основные характеристики:

• Два независимых ШИМ-контроллера с токовым управлением.
• Встроенный высоковольтный пусковой стабилизатор.
• Пиковый ток встроенных композитных драйверов затворов основных ключей — 2,5 А.
• Установка рабочей частоты до 2 МГц одним резистором.
• Синхронизируемый генератор.
• Драйвер p-канального ключа активного демпфера (LM5034).
• Регулируемое перекрытие сигналов управления (LM5034).
• Программируемый максимальный коэффициент заполнения.
• Ограничение коэффициента заполнения при высоком входном напряжении.
• Регулируемый таймер прерывистого режима (при длительных перегрузках).
• Встроенная компенсация наклона пилы.
• Программируемый порог компаратора просадки входного напряжения.
• Программируемый плавный пуск (независимо для каждого контроллера).
• Непосредственное подключение оптопары обратной связи.
• Защита от перегрева.
• Корпуса TSSOP-16 (LM5032) и TSSOP-20 (LM5034).

Области применения:

• Импульсные источники вторичного электропитания для устройств телекоммуникации.
• Промышленные источники питания.
• Автомобильные устройства для использования в системах с напряжением бортовой сети 42 В.

Компания Linear Technology предлагает высокоэффективное и экономичное решение для питания мощных светодиодных ламп — микросхему LTC3490. Микросхема предназначена для работы от одного или двух элементов питания NiCd/NiMH и обеспечивает постоянный стабилизированный ток через светодиод 350 мА.

LTC3490 выполнена по схеме синхронного повышающего преобразователя. Она содержит интегрированные MOSFET-ключи с сопротивлением 100 мОм, датчик тока светодиода и схему компенсации цепи ОС. Благодаря высокой частоте преобразования (1,3 МГц) можно уменьшить габариты внешнего дросселя.

Диапазон входного напряжения LTC3490 составляет 1–3,2 В, причем напряжение запуска микросхемы не превышает 0,9 В.

Контроллер имеет функцию защиты от обрыва нагрузки, при этом выходное напряжение фиксируется на уровне 4,7 В. Дополнительно микросхема обеспечивает функцию аналоговой регулировки яркости по входу CTRL/CHDN и встроенный компаратор разряда батареи с выходом по схеме открытого стока.

Типовой КПД при питании от одного элемента составляет около 79%, при питании от двух элементов — не менее 85%.

Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 3

Кратько Александр

№ 4’2006

ШИМ-контроллер импульсных преобразователей напряжения LM5041 содержит все необходимые функциональные модули для построения источников питания push-pull или мост с режимом управления по току либо по напряжению.

ШИМ-контроллер импульсных преобразователей напряжения LM5041 содержит все необходимые функциональные модули для построения источников питания push-pull или мост с режимом управления по току либо по напряжению.

Все статьи цикла:

• Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 1, (Компоненты и технологии №2’2006)
• Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 2, (Компоненты и технологии №3’2006)
• Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 3, (Компоненты и технологии №4’2006)
• Мощные высоковольтные микросхемы серии LM5xxx фирмы National Semiconductor. Часть 4, (Компоненты и технологии №5’2006)

LM5041

ШИМ-контроллер импульсных преобразователей напряжения LM5041 содержит все необходимые функциональные модули для построения источников питания push-pull или мост с режимом управления по току либо по напряжению. Наличие у контроллера нескольких каскадов позволяет строить на его базе источники с несколькими выходными напряжениями либо с высокой выходной мощностью. Выходы HD и LD используются для управления понижающим преобразователем (buck), а выходы PUSH и PULL — для управления преобразователем топологии push-pull. Последние имеют рабочий коэффициент заполнения около 50% и в 2 раза меньшую тактовую частоту по сравнению с понижающим преобразователем. Существует возможность конфигурации выходных сигналов с гарантированным перекрытием (для источников с токовым управлением) либо с «мертвым» временем (для источников с управлением по напряжению).

Силовые МОП-ключи преобразователя push-pull могут управляться непосредственно от выходов встроенных драйверов затворов, понижающий же преобразователь требует внешних драйверов, к примеру, LM5102. Контроллер LM5041 содержит встроенный высоковольтный пусковой стабилизатор, имеющий широкий диапазон рабочих напряжений — от 15 до 100 В. Высокоскоростной ШИМ-контроллер специально разработан для поддержки рабочих частот до 1 МГц, и имеет при этом суммарную задержку распространения сигнала не более 100 нс. Кроме этого, ИС включает в себя устройство плавного пуска, компаратор просадки входного напряжения, усилитель ошибки, прецизионный источник опорного напряжения и систему защиты от тепловых перегрузок. Типовая схема включения контроллера LM5041 приведена на рис. 1.

Рис. 1. Упрощенная типовая схема построения двухкаскадного импульсного преобразователя напряжения на базе ШИМ-контроллера LM5041

Основные характеристики:

• Встроенный пусковой стабилизатор.
• Программируемый порог компаратора просадки входного напряжения (UVLO) с регулируемым гистерезисом.
• Токовый режим управления.
• Встроенный усилитель ошибки и источник опорного напряжения.
• Двухступенчатая защита от превышения максимально допустимого тока.
• Подавление импульсных помех по фронту сигнала (Leading Edge Blanking).
• Регулируемое перекрытие сигналов управления либо «мертвое» время.
• Пиковый ток встроенных драйверов затворов силовых ключей — 1,5 А.
• Программируемый плавный пуск.
• Программируемая частота генератора, возможность синхронизации.
• Прецизионный источник опорного напряжения.
• Защита от перегрева.
• Миниатюрные корпуса TSSOP-16 и LLP-16 (5×5 мм) с улучшенными тепловыми характеристиками.

Области применения:

• Импульсные источники вторичного электропитания для устройств телекоммуникации.
• Промышленные источники питания.
• Автомобильные устройства для использования в системах с напряжением бортовой сети +42 В.
• DС/DC-конвертеры с несколькими выходными напряжениями.

LM5115

ШИМ-контроллер импульсных преобразователей напряжения LM5115 содержит все необходимые функциональные модули для построения источников питания с несколькими выходными напряжениями с использованием технологии дорегулирования на стороне вторичной обмотки (Secondary Side Post Regulation — SSPR). Технология SSPR позволяет получать (с высоким КПД и хорошей стабилизацией) дополнительные выходные напряжения, используя сигналы непосредственно со вторичной обмотки силового трансформатора. Регулировка выходного напряжения осуществляется при помощи ШИМ-управления фронтом сигнала в пределах коэффициента заполнения основного канала. Такой способ управления совместим с управлением в основном канале как по току, так и по напряжению. Контроллер LM5115 совместно с внешними «верхним» и «нижним» силовыми NMOS-ключами образует синхронный понижающий стабилизатор. Усилитель сигнала шунта обеспечивает необходимую защиту от токовых перегрузок, имея большой допустимый диапазон синфазных входных напряжений. Кроме этого, ИС включает в себя стабилизатор напряжения питания с низким падением на проходном элементе (LDO), усилитель ошибки, прецизионный источник опорного напряжения, схему адаптивной регулировки «мертвого» времени и систему защиты от тепловых перегрузок. Типовая схема включения контроллера LM5115 приведена на рис. 2.

Рис. 2. Упрощенная типовая схема построения двухкаскадного импульсного преобразователя напряжения по топологии SSPR

Основные характеристики:

• Автоматическая синхронизация с выходом основного канала.
• Режим автономной генерации при питании от источника постоянного напряжения.
• ШИМ-модуляция при помощи смещения фронта импульса.
• Режим управления по напряжению с элементами токового управления (current injection) и обратной связью по входным возмущениям (feed-forward).
• Питание ключей от источников постоянного либо переменного напряжения амплитудой до 75 В.
• Широкий диапазон питающего напряжения — от 4,5 до 30 В.
• Широкий диапазон выходных напряжений — от 0,75 до 13,5 В.
• Пиковый ток встроенных драйверов затворов МОП-ключей — 2,5 А.
• Адаптивное управление «мертвым» временем.
• Широкополосный усилитель ошибки (4 МГц).
• Программируемый плавный пуск.
• Защита от перегрева.
• Миниатюрные корпуса TSSOP-16 и LLP-16 (5×5 мм) с улучшенными тепловыми характеристиками.

LM5642

Контроллеры LM5642 состоят из двух понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и токовым управлением, работающих в противофазе. Номинальная рабочая частота для LM5642 составляет 200 кГц, для LM5642X — 375 кГц. Парафазный режим работы позволяет значительно снизить пульсации входного тока, благодаря чему допускается использование входных конденсаторов со значительно меньшей емкостью. Тактовый генератор контроллера обладает возможностью синхронизации с внешним источником частотой от 150 до 250 кГц (для LM5642) и от 200 до 500 кГц (для LM5642X). Кроме этого, имеется возможность включения обоих стабилизаторов в параллельном режиме (так называемый двухфазный преобразователь) на один выход. Выходное напряжение по каждому из каналов независимо регулируется от 1,3 В до 90% входного напряжения. Внутренняя 5-вольтовая шина питания выведена наружу и может быть использована для питания бутстрепных цепей управления затворами (bootstrap). Токовый режим управления обеспечивает высокие характеристики регулирования по входным и выходным возмущениям (line and load regulation) и широкую полосу петлевого усиления, что позволяет добиться высокоэффективной реакции на импульсные изменения нагрузки. Измерение тока осуществляется либо по падению напряжения на открытом канале силового ключа, либо на внешнем шунте, подключенном последовательно со стоком «верхнего» ключа. Каждый из преобразователей контроллера LM5642 обладает аналоговой схемой плавного запуска, поведение которой не зависит ни от тока нагрузки, ни от величины выходного фильтрующего конденсатора, что определяет более высокую предсказуемость и управляемость такой схемы по сравнению с традиционными решениями для устройств плавного запуска. Каждый из выходов оборудован системой защиты от превышения максимально допустимого напряжения. Кроме этого, использование вывода UVDelay позволяет организовать задержанное отключение преобразователя при критическом снижении питания на выходе. Упрощенная схема включения контроллера LM5642 приведена на рис. 3.

Рис. 3. Упрощенная схема включения ШИМ-контроллера LM5642

Основные характеристики:

• Два понижающих стабилизатора с синхронным выпрямлением.
• Парафазный режим работы.
• Номинальная рабочая частота 200 кГц (LM5642) либо 375 кГц (LM5642X).
• Синхронизация рабочей частоты в диапазоне 150–250 кГц (LM5642) либо 200–500 кГц (LM5642X).
• Диапазон входных напряжений от 4,5 до 36 В.
• Ток покоя 50 мкА.
• Диапазон регулировки выходного напряжения от 1,3 В до 90% от входного напряжения.
• Регулировка по входным и выходным возмущениям (line and load regulation) 0,04% (типовое значение).
• Токовый режим управления с использованием шунта или без него.
• Независимые входы разрешения (enable) и плавного запуска (soft-start) позволяют легко организовывать требуемую последовательность включения источников питания.
• Может конфигурироваться для параллельной работы двух преобразователей на один выход.
• Регулируемое потактовое ограничение тока.
• Компаратор «просадки» входного питания.
• Защита от превышения выходного напряжения.
• Защита от критического понижения выходного напряжения с временной задержкой.
• Защита от перегрева.
• Принудительный разряд выходных конденсаторов при выключении преобразователя.
• Миниатюрный корпус TSSOP.

Области применения:

• Встраиваемые вычислительные системы.
• Навигационное оборудование.
• Телекоммуникационные системы.
• Телевизионные абонентские приставки.
• Устройства доступа в Интернет.
• Системы с распределенным питанием.

LM5070

Рис. 4. Упрощенная схема включения ИМС LM5070

LM5070 — комбинированная ИМС, содержащая контроллер питания по сети Ethernet и ШИМ-контроллер, которая полностью обеспечивает задачи формирования питающих напряжений для устройств (PD) сетей Power over Ethernet (PoE). LM5070 содержит встроенный ключ 80 В, 400 мА для подключения линии и соответствующие вспомогательные устройства, что делает ее полностью совместимой со стандартом IEEE 802.3af. Кроме этого, в состав ИС входит ШИМ-контроллер с токовым режимом управления. Благодаря объединению этих устройств в одной ИС снимается проблема правильной последовательности включения интерфейса контроллера и импульсного источника питания. LM5070 выпускается в двух версиях, одна из них имеет ограничение максимального коэффициента заполнения до 80% и встроенную компенсацию наклона пилы, вторая — ограничение максимального коэффициента заполнения до 50%, а встроенная компенсация наклона пилы отсутствует. Упрощенная схема включения ИМС LM5070 приведена на рис. 4, а ее блок-схема — на рис. 5.

Рис. 5. Упрощенная блок-схема ИМС LM5070

Основные характеристики:

• Полностью совместим со стандартом 802.3af Power Interface Port.
• Встроенный МОП-ключ 80 В, 1 Ом, 400 мА.
• Программируемое ограничение пускового тока.
• Функция отключения резистора детектора нагрузки.
• Программируемый ток нагрузки.
• Программируемый порог компаратора просадки входного напряжения с регулируемым гистерезисом.
• Защита от перегрева.
• ШИМ-регулятор с токовым режимом управления.
• Поддержка гальванически изолированных и неизолированных топологий.
• Встроенные усилитель ошибки и источник опорного напряжения для реализации неизолированной топологии.
• Регулируемая частота тактового генератора.
• Управляемое устройство плавного запуска.
• Ограничение максимального коэффициента заполнения до 80%, компенсация наклона пилы (в устройствах с суффиксом «–80»).
• Ограничение максимального коэффициента заполнения до 50%, компенсация наклона пилы отсутствует (в устройствах с суффиксом «–50»).
• Пиковый ток встроенных драйверов затворов силовых ключей — 0,8 А.

LM5080

LM5080 — недорогой и простой в использовании контроллер распределения нагрузки, обеспечивающий эффективное выравнивание токов при параллельном подключении нескольких источников. В контроллере реализован метод активного регулирования с усреднением (Average Program — AP). Этот метод подразумевает использование плавной подстройки выходных напряжений источников, что обеспечивает равное распределение тока нагрузки по нескольким блокам питания. Управление с усреднением позволяет повысить стабильность системы и снизить пульсации выходного напряжения по сравнению с традиционными методами распределения нагрузки. LM5080 поддерживает два основных режима — с использованием внешнего шунта и регулировкой тока, выдаваемого каждым из источников в общую линию, а также вариант со встраиванием контроллера распределения нагрузки в цепь ОС регулировки напряжения каждого из модулей питания. Пример включения LM5080 по первому из вариантов приведен на рис. 6.

Рис. 6. Включение контроллера распределения тока нагрузки LM5080 в схеме с внешним управлением

Основные характеристики:

• Распределение токов с усреднением и регулировкой.
• Объединение источников в общую цепь по топологии «звезда».
• Не требует внешних прецизионных резисторов.
• Напряжение питания от 3 до 15 В.
• Измерение тока в положительной либо отрицательной шине питания.
• Гибкая архитектура, поддержка четырех режимов функционирования:
• регулировка с использованием внешнего шунта и управления в отрицательной шине питания;
• регулировка с использованием внешнего шунта и управления в положительной шине питания;
• регулировка по опорному напряжению источника питания;
• регулировка с помощью делителя напряжения ОС источника питания.
• Миниатюрный корпус MSOP-8, в том числе без содержания свинца.

Окончание следует.

Шина лунной субмарины | Материаловая и инженерная инженерия

Moonsub Shim

Административные названия

• Директор по аспирантуру

Профессор, факультет Уиллетта и директор аспирантуры

(217) 333-7361

MSHIM@illinois. Edu

11119

[email protected] Materials Science & Eng Bld

Для получения дополнительной информации

• Страница исследовательской группы Shim

Профессиональные особенности

• Профессор Мунсуб Шим получил степень бакалавра наук. степень Калифорнийского университета в Беркли в 1997 году и его степень магистра. и доктор философии Он получил степени в Чикагском университете в 1998 и 2001 годах. После работы научным сотрудником с докторской степенью в Стэнфордском университете в 2002 году он присоединился к факультету факультета материаловедения и инженерии в Иллинойсе. Признание его достижений включает премию Xerox за факультетские исследования. (2007 г.), премия Национального научного фонда «КАРЬЕРА» (2004 г.), звание доцента Рашеффа (2002–2004 гг.), Премия ученого факультета Уиллетта (2010–2014 гг.) И премия декана за выдающиеся достижения в исследованиях (2014 г.).

Заявление об исследовании

Всеобъемлющая цель моей исследовательской программы состоит в том, чтобы понять явления заряда и разделения/рекомбинации заряда в материалах, особенно в низкоразмерных системах на нанометровом уровне. Зарядка и разделение/рекомбинация зарядов являются фундаментальными процессами, определяющими работу электронных, оптоэлектронных и фотогальванических устройств. Материалы с нанометровыми размерами могут обеспечить сложный контроль над процессами зарядки и разделения зарядов и открывают новые инженерные парадигмы и перспективы для устройств с беспрецедентной производительностью. Однако повсеместно большое отношение поверхности к объему материалов в этом размерном режиме часто приводит к большим отклонениям от ожидаемых свойств. Понимание такого неожиданного поведения может, в свою очередь, привести к новым средствам управления новыми явлениями, происходящими в наномасштабе. Таким образом, способность контролировать поверхностные и межфазные эффекты имеет решающее значение для выяснения свойств основных материалов и разработки любых будущих технологий. Поэтому я изучаю, как процессы зарядки и разделения зарядов влияют на структуру, электрические и оптические свойства и химическую активность, уделяя особое внимание реакции материалов на изменения на поверхностях и границах раздела. Выводы, полученные в результате этих исследований, затем используются для разработки новых материалов, демонстрирующих превосходные свойства, полезные для преобразования солнечной энергии и высокоэффективной нано- и макроэлектроники и оптоэлектроники.

Области исследований

• Электронные материалы
• Полимеры

Темы исследований

• Материалы для энергетики и окружающей среды
• Нанотехнологии

Избранные статьи в журналах

• Л. П. Китинг, Х. Ли, С. П. Роджерс, К. Хуанг и М. Шим, «Зарядка и заряженные частицы в светоизлучающих диодах с квантовыми точками», Nano Lett. 22, 9500 – 9506 (2022).
• Г. А. Дрейк, Л. П. Китинг и М. Шим, «Принципы проектирования коллоидных наностержневых гетероструктур», Chem. Преподобный (2022).
• А. Викрам, К. Бруднак, А. Захид, М. Шим и П. Дж. А. Кенис, «Ускоренный скрининг коллоидных нанокристаллов с использованием технологии автономного проточного реактора с искусственными нейронными сетями», Nanoscale 13, 17028 – 17039 (2021).
• Л. П. Китинг и М. Шим, «Механизм морфологических изменений в коллоидных наностержнях CuGaS2», Nanoscale Adv. 3, 5322 – 5331 (2021).
• А. Викрам, А. Захид, С. Бхаргава, Х. Джанг, А. Сутрисно, А. Кхаре, П. Трефонас, М. Шим и П. Дж. А. Кенис, «Раскрытие происхождения межфазного окисления квантовых точек на основе InP». с использованием автоматизированного проточного реактора с последовательным ростом оболочки», ACS Appl. Нано Матер. 3, 12325 – 12333 (2020).
• А. Викрам, А. Захид, С.С. Бхаргава, Л.П. Китинг, А. Сутрисно, А. Харе, П. Трефонас, М. Шим и П.Дж.А. Кенис, «Механистическое понимание роста нанокристаллов фосфида индия по размеру в присутствии следовых количеств воды», Chem. Матер. 32, 3577 – 3584 (2020).
• Х. Ли, Х. – Дж. Сонг, М. Шим и К. Ли, «На пути к коммерциализации солнечных элементов с коллоидными квантовыми точками: взгляд на структуру устройства и производство», Energy Environ. наук, 13, 404 – 431 (2020).
• Дж. К. Фланаган, Л. П. Китинг, М. Каласад и М. Шим, «Расширение спектрального диапазона наностержней с двойным гетеропереходом путем сплавления, опосредованного катионным обменом», Chem. Матер. 31, 9307 – 9316 (2019).
• Г. А. Дрейк, Дж. К. Фланаган и М. Шим, «Высоколюминесцентные наностержни с двойным гетеропереходом», J. Chem. физ. 151, 134706 (2019 г.).
• С.-Х. Ли, М. Ким, К. Но, Х.-С. Юн, Т.-Х. Лим, Ю. Чой, К.-Дж. Ким, Ю. Цзян, К. Бом, М. Ким, Ю.-Г. Ким, П. Ли, Н. О, Б. Х. Ким, К. Шин, Х. Х. Ли, Т. -С. Юн, М. Шим, Дж. Лим, К.-Б. Ким и С.-Ю. Чо, «Эффект пассивации этаноламином наночастиц ZnO в структуре светоизлучающего диода с квантовыми точками», Curr. заявл. физ. 19, 998 – 1005 (2019)
• С. Ли, Дж. К. Фланаган, Дж. Ким, А. Дж. Юн, Б. Ли, М. Шим и Б. Парк, «Эффективные гетеропереходные сенсибилизированные нанородом солнечные элементы типа II, реализованные путем контролируемого синтеза структуры ядра / неоднородной оболочки и Косенсибилизация CdS», Appl. Матер. Интерфейсы, 11, 19104 – 19114 (2019).
• Н. О, Л. П. Китинг, Г. А. Дрейк и М. Шим, «CuGaS2-CuInE2 (E = S, Se) Коллоидные наностержневые гетероструктуры», Chem. Матер. 31, 1973 — 1980 (2019).
• Х. Кеум, Ю. Цзян, Дж. К. Парк, Дж. К. Фланаган, М. Шим и С. Ким, «Фоторезистивный контактный рисунок пленок с квантовыми точками», ACS Nano 12, 10024–10031 (2018).
• А. Викрам, В. Кумар, У. Рамеш, К. Балакришнан, Н. О, К. Дешпанде, Т. Эверс, П. Трефонас |, М. Шим и П. Дж. А. Кенис, «Милжидкостная реакторная система для ступенчатый непрерывный синтез наночастиц InP/ZnSeS», ChemNanoMat 4, 943 – 953 (2018).
• Ю. Цзян, С. –Ю. Чо и М. Шим, «Светоизлучающие диоды коллоидных квантовых точек и наностержневых гетероструктур для будущих эмиссионных дисплеев», J. Mater. хим. C, 6, 2618 – 2634 (2018). Приглашенная обзорная статья.
• Ф. Ву, Л. Чен, А. Чжан, Ю. Хун, Н. –Ю. Ши, С. –Ю. Чо, Г. А. Дрейк, Т. Флитхэм, С. Конг, К. Цао, К. Лю, Ю. Лю, К. Сюй, Ю. Ма, М. Шим, М. Э. Томпсон, В. Рен, Х. Ченг и К. Чжоу, «Высокопроизводительные субмикронные полевые транзисторы WSe2, подготовленные с использованием метода заливной печати с высокой плотностью тока в открытом состоянии и высоким коэффициентом тока в открытом состоянии», ACS Nano 11, 12536 – 12546 (2017).
• С. Ли, Дж. К. Фланаган, Б. Ли, Т. Хван, Дж. Ким, Б. Гил, М. Шим и Б. Парк, «Путь к улучшению фотоэлектрических элементов на основе наностержней с гетеропереходом CdSe/CdSexTe1-x типа II». : Влияние морфологии и косенсибилизации на рекомбинацию и транспорт носителей», ACS Appl. Матер. Интерфейсы 9, 31931 – 31939 (2017).
• Ю. Чжай, Дж. К. Фланаган и М. Шим, «Влияние деформации решетки и лиганда на формирование гетероструктур наностержней Cu2-xS/I-III-VI2 посредством частичного катионного обмена», Chem. Матер. 29, 6161 – 6167 (2017).
• К. Баумер, Р. Валента, К. Шмитц, А. Локателли, Т. О. Ментеш, С. П. Роджерс, А. Сала, Н. Рааб, С. Немсак, М. Шим, К. М. Шнайдер, С. Мензель, Р. Васер, Р. Диттманн, «Субфиламентарные сети вызывают межцикловую изменчивость в мемристивных устройствах», ACS Nano 11, 6921–6929 (2017).
• С. –Ю. Чо, Н. О, С. Нам, Ю. Цзян и М. Шим, «Увеличенный срок службы устройства нанородных светоизлучающих диодов с двойным гетеропереходом», Nanoscale 9, 6103–6110 (2017).
• Ю. Чжай и М. Шим, «Влияние реакционной способности предшественника меди на форму и фазу нанокристаллов сульфида меди», Chem. Матер. 29, 2390 – 2397 (2017).
• С. П. Роджерс, Р. Сюй, С. Пандья, Л. В. Мартин и М. Шим, «Медленная релаксация проводимости в полевых транзисторах графена-сегнетоэлектрика», J. Phys. хим. С., 121, 7542 – 7548 (2017).
• М. Шим, «Коллоидные наностержневые гетероструктуры для оптоэлектроники», J. Phys. Д 50, 173002 (2017). Приглашенный тематический обзор.
• Н. О, Б. Х. Ким, С. –Ю. Чо, С. Нам, С. П. Роджерс, Ю. Цзян, Дж. К. Фланаган, Ю. Чжай, Дж.-Х. Ким, Дж. Ли, Ю. Ю., Чо Ю. К., Хур Г., Чжан Дж., Трефонас П., Роджерс Дж. А., Шим М., «Светочувствительные светодиоды с наностержнем с двойным гетеропереходом для новых приложений отображения», Наука 355 , 616 – 619 (2017).
• Х. Кеум, Ю. Цзян, Дж. К. Парк, Дж. Фланаган, М. Шим и С. Ким, «Создание рисунка коллоидных пленок с квантовыми точками без использования растворителей с использованием полимеров с памятью формы», Micromachines 8, 18 (2017).
• В. Кумар, Х. А. Фустер, Н. О, Ю. Чжай, К. Дешпанде, М. Шим и П. Дж. А. Кенис, «Непрерывный синтез анизотропных наночастиц селенида кадмия и селенида цинка», ChemNanoMat, EarlyView (2017).
• Ю. Цзян, Н. О и М. Шим, «Светоизлучающие диоды с двойным гетеропереходом нанорода с высокой эффективностью при высокой яркости с использованием самособирающихся монослоев», ACS Photonics, 3, 1862–1868 (2016).
• Н. Ох и М. Шим, «Индуцированное олеатом металла травление и рост полупроводниковых нанокристаллов, наностержней и их гетероструктур», J. Am. хим. соц. 138, 10444 (2016).
• К. Баумер, К. Шмитц, А. Марчевка, Д. Н. Мюллер, Р. Валента, Дж. Хакл, Н. Рааб, С. П. Роджерс, М. И. Хан, С. Немсак, М. Шим, С. Мензель, К. М. Шнайдер, Р. Васер и Р. Диттманн, «Количественная оценка изменений барьера Шоттки, вызванных окислительно-восстановительным потенциалом, в мемристивных устройствах с помощью спектроскопии в процессе работы с электронно-прозрачными графеновыми электродами», Nature Comm. 7, 12398 (2016).
• Z. Jiang, S. Tian, ​​S. Lai, R. McAuliffe, S. Rogers, M. Shim, and D. Shoemaker, «Захват фазовой эволюции во время сольвотермического синтеза метастабильного Cu4O3», Chem. мат., 28, 3080 – 3089(2016).
• Б. Х. Ким, С. Нам, Н. О, С. Ю. Чо, К. Дж. Ю, Ч. Х. Ли, Дж. Чжан, К. Дешпанде, П. Трефонас, Дж.-Х. Ким, Дж. Ли, Дж. Х. Шин, Ю. Ю, Дж. Б. Лим, С.-Ю. Чо, С. М. Вон, Н. Х. Ким, К. Дж. Сео, Х. Ли, Т. Ким, М. Шим и Дж. А. Роджерс, «Многослойная трансферная печать для пиксельных многоцветных светоизлучающих диодов с квантовыми точками», ACS Nano, 10, 4920 – 4925 (2016).
• Дж. Хиннефельд, Р. Сюй, С. Роджерс, С. Пандья, М. Шим, Л. Мартин и Н. Мейсон, «Однозатворные PN-переходы в графен-сегнетоэлектрических устройствах», Appl. физ. лат. 108, 203109. (2016).
• Ю. Чжай и М. Шим, «Гетероструктурированные наностержни Cu2S/ZnS: катионный обмен против роста, подобного раствору, жидкости и твердому веществу», ChemPhysChem, 17, 741–751 (2016).
• С. Ли, Дж. К. Фланаган, М. Шим и Б. Парк, «Интеграция наностержней гетероперехода CdSe/CdSexTe1-x в иерархически пористый электрод TiO2 для эффективного преобразования солнечной энергии», Наука. 5, 17472 (2015).
• Ю. Чжай и М. Шим, «Выгоды от созревания Оствальда в легировании Mn полупроводниковых нанокристаллов II-VI», Nanoscale Res. лат. 10, 423 (2015).
• Дж. К. Фланаган и М. Шим, «Улучшенная стабильность на воздухе, разделение заряда и фототок в наностержнях с гетеропереходом CdSe/CdTe с помощью тиолов», J. Phys. хим. С., 119, 20162–20168 (2015).
• Джанг Дж., Должников Д.С., Лю В., Нам С., Шим М. и Талапин Д.В. Транзисторы, обработанные раствором, с использованием коллоидных нанокристаллов с подобранным по составу молекулярным «припоем»: приближение к подвижности монокристалла, Nano Lett. 15, 6309 – 6317 (2015).
• Б. Х. Ким, М. С. Онсес, Дж. Б. Лим, С. Нам, Н. О, Х. Дж. Ким, К. Дж. Ю, Дж. В. Ли, Дж. –Х. Ким, С. –К. Канг, Ч. Х. Ли, Дж. Ли, Дж. Х. Шин, Н. Х. Ким, К. Лил, М. Шим, Дж. А. Роджерс, «Шаблоны квантовых точек с высоким разрешением, образованные электрогидродинамической струйной печатью для светоизлучающих диодов», Nano Lett. 15, 969–973 (2015).
• С. Нам, Н. О, Ю. Чжай и М. Шим, «Высокая эффективность и оптическая анизотропия в светоизлучающих диодах с двойным гетеропереходом», ACS Nano 9, 878–885 (2015).
• С. Ли, А. Р. Дамодаран, П. Гораи, Н. О, Дж. А. Мойер, Дж. –Х. Квон, Н. Фердоус, А. Шах, З. Чен, Э. Брекенфельд, Р. В. К. Мангалам, П. В. Браун, П. Шиффер, М. Шим, Дж.-М. Зуо, Э. Эртекин и Л. В. Мартин, «Новая самоорганизующаяся многослойная фаза в богатых титаном эпитаксиальных тонких пленках SrTiO3», Adv. Матер. 27, 861–868 (2015).
• C. Baeumer, D. Saldana-Greco, A.M. Rappe, M. Shim, and L.W. Martin, «Сегнетоэлектрическая модуляция плотности пространственных носителей в графене», Nature Commun. 6, 6136 (2015).
• Н. Р. Ким, К. Шин, И. Юнг, М. Шим и Х. М. Ли, «Наночастицы сплава Ag-Cu с повышенной устойчивостью к окислению: комбинированное экспериментальное и теоретическое исследование», J. Phys. хим. С 118, 26324 – 26331 (2014).
• Б.-Х. Сео, Дж. Юн и М. Шим, «Прямая лазерная запись воздухостабильных p-n переходов в графене», ACS Nano, 8, 8831–8836 (2014).
• Ю. Цзян, Ф. Сюн, К. – Л. Цай, Т. Озел, Э. Поп и М. Шим, «Самовыравнивающаяся маска для травления меди для металлических и полупроводниковых углеродных нанотрубок с индивидуальной адресацией», ACS Nano 8, 6500 – 6508 (2014).
• N.Oh, S. Nam, Y. Zhai, K. Deshpande, P. Trefonas и M. Shim, «Double Heterojunction Nanorods», Nature Commun. 5, 3642 (2014).
• С. –Л. Цай, Ф. Сюн, Э. Поп и М. Шим, «Резистивная память с произвольным доступом, обеспечиваемая поперечными электродами из углеродных нанотрубок», ACS NANO 7, 5360-5366 (2013).
• 1С. Баумер, С. Роджерс, Р. Сюй, Л. В. Мартин и М. Шим, «Настраиваемый тип носителя и плотность в гибридных структурах графен/PbZr0,2Ti0,8O3 посредством ферроэлектрического переключения», Nano Lett. 13, 1693 – 1698 (2013).
• H. McDaniel, M. Pelton, N. Oh и M. Shim, «Влияние деформации решетки и смещения полосы на скорость переноса электронов в гетероструктурах Nanorod типа II», J. Phys. хим. лат. 3, 1094 – 1098 (2012).
• Х. Макдэниел, Н. Ох и М. Шим, «CdSe/CdSexTe1-x наностержневые гетероструктуры: настройка состава сплава и энергии пространственно непрямой рекомбинации», J. Mater. хим. 22, 11621 – 11628 (2012).
• М. Шим, Х. Макдэниел и Н. О, «Перспективы напряженных наностержневых гетероструктур типа II», J. Phys. хим. лат. 2, 2722 – 2727 (2011). Приглашенная перспектива.
• H. McDaniel, PE Heil, C.-L. Цай, К. Ким и М. Шим, «Интеграция гетероструктур Nanorod типа II в фотоэлектрические элементы», ACS Nano, 5, 7677–7683 (2011).
• С. –Л. Цай, А. Ляо, Э. Поп и М. Шим, «Рассеивание электрической мощности в углеродных нанотрубках на монокристаллическом кварце и аморфном SiO2», Appl. физ. лат. 99, 053120 (2011).
• К. Т. Нгуен, Д. Абдула, К.-Л. Цай и М. Шим, «Зависимые от температуры и напряжения затвора спектры комбинационного рассеяния однослойного графена», ACS Nano, 5, 5273 – 5279 (2011).
• Д. Абдула, К. Т. Нгуен, К. Канг, С. Фонг, Т. Озел, Д. Г. Кэхилл и М. Шим, «Влияние дефектов и легирования на время жизни оптических фононов и ширину линии комбинационного рассеяния в углеродных нанотрубках», Phys. Ред. B 83, 205419 (2011).
• С. Унарунотай, Дж. К. Кёпке, К. –Л. Цай, Ф. Ду, К. Э. Чиалво, Ю. Мурата, Р. Хааш, И. Петров, Н. Мейсон, М. Шим, Дж. Лидинг, Дж. А. Роджерс, «Послойный перенос листов графена большой площади, выращенных в многослойных пакетах на одной пластине SiC», ACS Nano 4, 5591 – 5598 (2010).
• С. Ким, С. Ким, Д. Б. Джейнс, С. Мохаммади, Дж. Бэк и М. Шим, «Моделирование постоянного тока и источник мерцающего шума в транзисторах с пассивированными углеродными нанотрубками», Нанотехнология 21, 385203 (2010).
• М. Шим и Х. МакДэниел, «Анизотропные нанокристаллические гетероструктуры: синтез и деформация решетки», Curr. Соч. Сол. Государственный матер. науч. 14, 83 – 94 (2010).
• К. Канг, Д. Абдула, Д. Г. Кэхилл и М. Шим, «Время жизни оптических фононов в графене и графите с помощью некогерентного антистоксова комбинационного рассеяния с временным разрешением», Phys. Версия B 81, 165405 (2010).
• Х. Макдэниел, Дж. –М. Зуо и М. Шим, «Анизотропная кривизна, вызванная деформацией, в гетероструктурах типа II CdSe/CdTe Nanorod», J. Am. хим. соц. 132, 3286 (2010).
• К. Х. Сюй, Дж. Х. Бэк, К.-Х. Фунг, П. М. Феррейра, М. Шим и Н. К. Фанг, «Исследование усиления электромагнитного поля SERS с помощью быстрого комбинационного картирования фракталов оптического ковра Серпинского», J. Raman Spectroscopy, 41, 1124 (2010).
• JH Back, C. –L. Цай, С. Ким, С. Мохаммади и М. Шим, «Проявление аномалии Кона в колебаниях 1/f в металлических углеродных нанотрубках», Phys. Преподобный Летт. 103, 215501 (2009 г.).
• Т. Озель, Д. Абдула, Э. Хванг и М. Шим, «Неравномерная деформация сжатия в горизонтально выровненных однослойных углеродных нанотрубках, выращенных на монокристаллическом кварце», ACS Nano 3, 2217 (2009).
• К. Т. Нгуен и М. Шим, «Роль ковалентных дефектов в смягчении фононов в металлических углеродных нанотрубках», J. Am. хим. соц. 131, 7103 (2009).
• Х. Макдэниел и М. Шим, «Структурная диверсификация, зависящая от размера и скорости роста, анизотропных нанокристаллических гетероструктур Fe3O4/CdS», ACS Nano 3, 434 (2009).).
• В. Дж. Хуанг, Дж. М. Цзо, Б. Цзян, К. В. Квон и М. Шим, «Дифракционная визуализация одиночных нанокристаллов с разрешением ниже Å», Nature Phys. 5, 129 (2009).
• С. Ким, С. Джу, Дж. Х. Бэк, Ю. Суан, П. Д. Йе, М. Шим, Д. Б. Джейнс и С. Мохаммади, «Полностью прозрачные тонкопленочные транзисторы на основе выровненных массивов углеродных нанотрубок и электродов из оксида индия и олова, ” Админ. Матер. 21, 564 (2009).
• Д. Абдула, Т. Озел, К. Канг, Д. Г. Кэхилл и М. Шим, «Влияние окружающей среды на температурную зависимость спектров комбинационного рассеяния однослойного графена», J. Phys. хим. С 112, 20131 (2008).
• К. Канг, Т. Озел, Д. Г. Кэхилл и М. Шим, «Время жизни оптических фононов в одностенных углеродных нанотрубках с помощью комбинационного рассеяния с временным разрешением», Nano Lett. 8, 4642 (2008).
• Д. Абдула и М. Шим, «Производительность и фотогальванический отклик легированных полимером углеродных нанотрубок p-n диодов», ACS Nano 2, 2154 (2008).
• А. Гаур и М. Шим, «Усиленная подложкой адсорбция O2 и комплексность в рамановских спектрах G-диапазона отдельных металлических углеродных нанотрубок», Phys. Ред. В 78, 125422 (2008).
• М. Шим, А. Гаур, К. Т. Нгуен, Д. Абдула и Т. Озел, «Спектральное разнообразие в рамановских модах G-диапазона металлических углеродных нанотрубок в пределах одной хиральности», J. Phys. хим. С 112, 13017 (2008).
• К. Цао, Х.-С. Ким, Н. Пимпаркар, Дж. П. Кулкарни, К. Ван, М. Шим, К. Рой, М. А. Алам, Дж. А. Роджерс, «Средние тонкопленочные интегральные схемы из углеродных нанотрубок на гибких пластиковых подложках» », Природа 454, 495 (2008).
• Дж. Х. Бэк, С. Ким, С. Мохаммеди и М. Шим, «Низкочастотный шум в транзисторах с амбиполярными углеродными нанотрубками», Nano Lett. 8, 1090 (2008).
• М. Шим, «На пути к электронике из углеродных нанотрубок», Material Matters 2, 16–18 (2007).
• К. Кокабас, С. Дж. Канг, Т. Озел. М. Шим, Дж. А. Роджерс, «Улучшенный синтез выровненных массивов одностенных углеродных нанотрубок и их реализация в тонкопленочных транзисторах», J. Phys. хим. С 111, 17879 (2007).
• К. Ван, К. –В. Квон, М. Одлызко, Б. Х. Ли и М. Шим, «Нанокристаллы PbSe/гетероструктурированные пленки TiOx: простой путь к наноразмерным гетероинтерфейсам и фотокатализу», J. Phys. хим. С 111, 11734 (2007).
• С. К. Ким, Ю. Суан, П. Д. Е, С. Мохаммади, Дж. Х. Бэк и М. Шим, «Атомный слой осажденного Al2O3 для диэлектрика затвора и пассивирующего слоя транзисторов с одностенными углеродными нанотрубками», Appl. физ. лат. 90, 163108 (2007).
• Д. Абдула, К. Т. Нгуен и М. Шим, «Рамановский спектр эволюции в отдельных металлических одностенных углеродных нанотрубках при образовании ковалентной связи», J. Phys. хим. С 111, 17755 (2007).
• К. Т. Нгуен, А. Гаур и М. Шим, «Форма линии Фано и смягчение фононов в одиночных изолированных металлических углеродных нанотрубках», Phys. Преподобный Летт. 98, 145504 (2007).
• Б. Х. Ли, К. –В. Квон и М. Шим, «Полупроводниковые/полимерные гибридные коллоидные наночастицы», J. Mater. хим. 17, 1284 – 1291 (2007).
• С. Дж. Канг, К. Кокабас, Т. Озел, М. Шим, Н. Пимпаркар, А. Алам, С. В. Роткин и Дж. А. Роджерс, «Высокопроизводительная электроника на основе плотных, идеально выровненных массивов одностенных углеродных нанотрубок», Природа Нанотех. 2, 230 – 236 (2007).
• Q. Cao, MG Xia, C. Kocabas, M. Shim, JA Rogers, and S.V. Rotkin, «Емкостная связь затвора тонкопленочных транзисторов с одностенными углеродными нанотрубками», Appl. физ. лат. 90, 023516 (2007).
• К. Цао, М. Г. Ся, М. Шим, Дж. Роджерс, «Двухслойные органо-неорганические диэлектрики под затвором для высокопроизводительных низковольтных тонкопленочных транзисторов с однослойными углеродными нанотрубками, комплементарных логических затворов и p-n-диодов на пластиковые подложки», Adv. Функциональный матер. 16, 2355 – 2362 (2006).
• К. –З. Квон, Б. Х. Ли и М. Шим, «Структурная эволюция в гетероструктурах коллоидных нанокристаллов оксида металла/полупроводника», Chem. Матер. 18, 6357–6363 (2006).
• Дж. Х. Бэк и М. Шим, «pH-зависимые свойства переноса электронов углеродных нанотрубок», J. Phys. хим. Б 110, 23736 – 23741 (2006).
• К. Д. Мэтьюз, М. Г. Леметр, Т. Ким, Х. Чен, М. Шим и Дж.-М. Цзо, «Режимы роста углеродных нанотрубок на металлических подложках», J. Appl. физ. 100, 044309 (2006).
• М. Шим, Т. Озел, А. Гаур и К. Ван, «Понимание легирования с переносом заряда и формы собственной фононной линии углеродных нанотрубок путем простой адсорбции полимера», J. Am. хим. соц. 128, 7522 – 7530 (2006).
• К. Кокабас, М. Шим и Дж. А. Роджерс, «Пространственно-селективный управляемый рост массивов с высоким покрытием и случайных сетей одностенных углеродных нанотрубок и их интеграция в электронные устройства», J. Am. хим. соц. 128, 4540 – 4541 (2006).
• Цао, К., З.-Т. Чжу, М.Г. Леметр, М.-Г. Ся, М. Шим, Дж. Роджерс, «Прозрачные гибкие органические тонкопленочные транзисторы, в которых используются печатные электроды из одностенных углеродных нанотрубок», Appl. физ. лат. 88, 113511 (2006).
• Хуа, Ф., А. Гаур, Ю. Сун, М. Уорд, Дж. Ниу, И. Адесида, М. Шим, Дж. А. Роджерс и А. Шим, «Обработка зависимого поведения литографии мягких отпечатков на 1- Масштаб 10 нм», IEEE Trans. Нанотех. 5, 301 – 308 (2006).
• Цао, К. , С. Х. Хур, З. Чжу, Ю. Сун, К. Ван, М. Мейтл, М. Шим, Дж. А. Роджерс, «Гибкие прозрачные тонкопленочные транзисторы, в которых используются проводники и полупроводники на основе углеродных нанотрубок. с эластомерными диэлектриками», Adv. Матер. 18, 304 – 309 (2006).
• Hur, S.H., MH Yoon, A. Gaur, M. Shim, A. Facchetti, TJ Marks, JA Rogers, «Органические нанодиэлектрики для низковольтных тонкопленочных транзисторов из углеродных нанотрубок и дополнительных логических элементов», J. Am. хим. соц. 127, 13808 – 13809 (2005).
• Wang, C., Q. Cao, T. Ozel, A. Gaur, JA Rogers и M. Shim, «Электронно-селективная химическая функционализация углеродных нанотрубок: корреляция между рамановскими спектральными и электрическими откликами», J. Am. хим. соц. 127, 11460 – 11468 (2005).
• Квон, К.–В. и М. Шим, «гамма-Fe2O3/II-VI сульфидные нанокристаллические гетеропереходы», J. Am. хим. Soc, 127, 10268 – 10275 (2005).
• Кокабас, К., С.-Х. Хур, А. Гаур, М. Мейттл, М. Шим и Дж. А. Роджерс, «Управляемый рост крупномасштабных горизонтально выровненных массивов одностенных углеродных нанотрубок и их использование в тонкопленочных транзисторах», Смолл 1, 1110–1116 (2005 г.). ).
• Озел, Т., А. Гаур, Дж. А. Роджерс и М. Шим, «Сетевые транзисторы с полимерным электролитом и углеродными нанотрубками», Nano Lett. 5, 905 – 911 (2005).
• Hur, S.-H., C. Kocabas, A. Gaur, M. Shim, O. O. Park, and J. A. Rogers, «Печатные тонкопленочные транзисторы и комплементарные логические элементы, в которых используются одностенные углеродные нанотрубки с полимерным покрытием», J , заявл. физ. 98, 114302 (2005).
• Шим, М., Дж. Х. Бэк, Т. Озел и К. В. Квон, «Влияние кислорода на электрон-транспортные свойства углеродных нанотрубок: УФ-десорбция и термически индуцированные процессы», Phys. Ред. Б, 71, 205411 (2005).
• Hua, F., Y. Sun, A. Gaur, M. Meitl, L. Bilhaut, L. Rotkina, J. F. Wang, P. Geil, M. Shim, J. A. Rogers, and A. Shim, «Полимерная импринт-литография с Молекулярное разрешение», Nano Lett. 4, 2467 – 2471 (2004).
• Кокабас С., Мейтл М., Гаур А., Шим М. и Роджерс Дж. А., «Выровненные массивы одностенных углеродных нанотрубок, созданные из случайных сетей с помощью ориентационно-селективной лазерной абляции», Nano Lett. 4, 2421 – 2426 (2004).
• Чжоу, Ю., А. Гаур, С. –Х. Хур, К. Кокабас, М. Мейтл, М. Шим, Дж. А. Роджерс, «p-канальные, n-канальные тонкопленочные транзисторы и p-n-диоды на основе сетей с одностенными углеродными нанотрубками», Nano Lett. 4, 2031 – 2035 (2004).
• Siddons, G.P., D. Merchin, JH Back, JK Jeong, M. Shim, «Высокоэффективное запирание и легирование углеродных нанотрубок полимерными электролитами», Nano Lett. 4, 927-931 (2004).
• Huxtable, S. T., D. G. Cahill, S. Shenogin, L. Xue, R. Ozisik, P. Barone, M. Usrey, M. S. Strano, G. Siddons и M. Shim, «Межфазный тепловой поток в суспензиях углеродных нанотрубок», Материалы природы, 2, 731-734 (2003).
• Шим, М. и Сиддонс Г.П., «Фотоиндуцированные изменения проводимости в транзисторах из углеродных нанотрубок», Appl. физ. лат. 83, 3564-3566 (2003).

Награды за научные исследования

• Премия декана факультета исследований Университета Иллинойса (2014 г.)
• Стипендиат факультета Виллет (2010-2014)
• Премия Xerox за факультетские исследования, Иллинойский университет (2007 г.)
• Премия Национального научного фонда за карьеру (2004 г.)
• Рачефф Ассистент-профессор Иллинойского университета (2002–2004 гг.)
• Премия Нортона, Чикагский университет (2000)

Последние пройденные курсы

• MSE 201 — Фазы и фазовые соотношения
• MSE 280 A — Технические материалы
• MSE 395 — Дизайн материалов
• MSE 396 — Введение в исследования
• MSE 404 LD1 (MSE 404 LD2, MSE 404 NP1, MSE 404 NP2) — Новая фотогальваника
• MSE 488 — Оптические материалы
• MSE 529 — Семинар по твердым материалам

Shim успокаивает шумы в моделях Honda — UnderhoodService

Некоторые владельцы Honda могут жаловаться на чириканье в нижней части ремня ГРМ. Шум чаще всего замечается на холостом ходу, как правило, после прогрева двигателя. Вероятная причина заключается в том, что установочная поверхность промежуточного шкива наклонена, в результате чего край зубчатого ремня трется о бортик фланца генератора импульсов на ведущем шкиве (шестерне).

Меры по устранению:

Установите комплект конусных прокладок и при необходимости отшлифуйте более глубокий рельеф на кронштейне подвески двигателя.

Для этих автомобилей Accord V6 2007 года также требуется замена водяного насоса:
• 2-дверный с МКПП — от VIN 1HGCM8 …7A002002 до 1HGCM8…7A004104
• 2-дверный с АКПП — от VIN 1HGCM8 …7A002029 до 1HGCM8… 7A003983
• 4-дверная с M/T-от VIN 1HGCM6… 7A037354 до 1HGCM6… 7A060259
• 4-й дверь с M/T-от VIN 1HGCM6… 7A034807 до 1HGCM6… 7A0579992

8980307 до 1HGCM6… 7A0579992 9008 8

9018

9013

9018

9013

9013

9013. Accord V6 2008 г., Odyssey и Pilot, а также Ridgeline 9 2006–2008 гг.0315

Необходимые детали и материалы:

Комплект конусных прокладок:
• Модели 2005 г.: P/N 04148-RCA-305
• Модели 2006-’08: P/N 04148-RCA-306
(содержит , ремень ГРМ и шестерня приводного шкива ремня ГРМ)
Водяной насос (только Accord V6 2007 г.): P/N 19200-RDM-A02
Hondalock 1 (или эквивалент): (один контейнер ремонтирует около 10 автомобилей): P/N 08713- 0001

Диагностика:

1. Убедитесь в наличии шума на холостом ходу на прогретом двигателе.

2. Заглушите двигатель и снимите ремень привода вспомогательных агрегатов.

3. Запустите двигатель. Вы все еще слышите шум?
Да — Перейти к процедуре ремонта.
№ – Переустановите приводной ремень, а затем продолжите обычные процедуры поиска и устранения неисправностей ремня привода вспомогательных агрегатов. Прежде чем продолжить, убедитесь, что ремень привода вспомогательных агрегатов больше не шумит.

Процедура ремонта:

Примечание. На некоторых автомобилях Accord V6 2007 года вам также потребуется заменить водяной насос (см. Меры по исправлению). Все остальные действия по замене водяного насоса применимы ко всем затронутым автомобилям.

1. Касается только Accord V6 2007 года: слейте охлаждающую жидкость двигателя в чистую емкость и сохраните ее для повторного использования.

2. Установите двигатель в ВМТ (верхняя мертвая точка).

3. Снимите шкив коленчатого вала.
4. Снимите крышки ремня ГРМ.

5. Попробуйте вставить щуп толщиной 0,95 мм между верхним краем натяжного ролика ремня ГРМ и задней частью кронштейна боковой опоры двигателя, выступающего за шкив. Это измерение используется, чтобы определить, требуется ли шаг 12 ( см. рис. 1 ).

Примечание. Для более точного измерения выньте щуп из держателя.

6. Открутите датчик CKP (положение коленчатого вала) (если применимо) и отложите его в сторону. Не отсоединяйте разъем жгута CKP.

7. Снимите кронштейн крепления двигателя.

8. Снимите ремень ГРМ.

9. Касается только Accord V6 2007 года: Снимите регулятор ремня ГРМ.

10. Касается только Accord V6 2007 года: снимите водяной насос.

11. Снимите натяжной ролик ремня ГРМ.

12. Если щуп подходит на шаге 5, перейдите к шагу 13. Если щуп не подходит на шаге 5, снимите кронштейн боковой опоры двигателя. Используя прямошлифовальную машину с 2-дюймовым шлифовальным диском с зернистостью 50 (или эквивалентным) и круговым смещением отливки в качестве ориентира, отшлифуйте кронштейн боковой опоры двигателя до толщины кромки 2 мм с помощью штангенциркуля или микрометра ( см. рис. 2 ).

13. Касается только Accord V6 2007 года: замените водяной насос и повторно используйте охлаждающую жидкость, удаленную на шаге 1.

14. Касается только Accord V6 2007 года: переустановите регулятор ремня ГРМ.

15. Поместите прокладку промежуточного шкива между промежуточным шкивом и корпусом масляного насоса и неплотно установите болт промежуточного шкива, нанеся на его резьбу средство Hondalock 1. Обязательно следуйте инструкциям по сборке на контейнере Hondalock 1 ( см. рис. 3 ).

Примечание. Прокладка сужается слева направо. Слово «OUT» окрашено в белый цвет и выбито на выступе регулировочной шайбы, и оно должно быть читаемым после установки регулировочной шайбы.

16. При затягивании болта натяжного шкива используйте квадратный конец 1/4-дюймового болта. вставьте удлинитель с храповым механизмом, чтобы удерживать язычок прокладки в правильном положении. После того, как вы затяните болт промежуточного шкива с моментом 44 Нм (33 фунт-фута), слегка отогните язычок прокладки в сторону корпуса масляного насоса, чтобы он не касался промежуточного шкива ( см. рис. 4 ).

17. Установите новый приводной шкив зубчатого ремня (шестерня).

18. Установите новый ремень ГРМ. Примечание. Используйте Процедуру замены ремня ГРМ (для нового ремня), а не Процедуру установки (для бывшего в употреблении ремня) ремня ГРМ.

19. Установите на место датчик положения коленчатого вала (если применимо) и затяните его болт с усилием 9,8 Нм (7,2 фунто-фута).

20. Соберите оставшиеся детали, используя соответствующие процедуры руководства по обслуживанию. Если вы заменили водяной насос, убедитесь, что вы выпустили весь воздух из системы охлаждения после повторного заполнения охлаждающей жидкостью, которую вы слили в шаге 1.

21. Выполните процедуру очистки схемы CKP/запоминания схемы CKP. Перейдите к соответствующей процедуре ниже.

Примечание. Если вы не выполните процедуру очистки/обучения шаблона положения коленчатого вала, PCM может обнаружить пропуски зажигания, когда их нет, и, возможно, установить коды DTC с P0300 по P0306.

Процедура очистки/обучения шаблона CKP
Odyssey 2005-06 и Pilot 2005

Примечание:
• Температура охлаждающей жидкости должна быть не менее 176° F (80° C).
• 2005 Только пилот: перед выполнением этой процедуры проверьте «PULSER F/B LEARN» и «PULSER F/B LEARN (HIGH RPM)» в СПИСОК ДАННЫХ с помощью HDS. Если оба значения показывают N/A, эта процедура не требуется.
• 2005 Только пилот: Если только «PULSER F/B LEARN (HIGH RPM)» показывает N/A, пропустите шаги с 7 по 9.

1. При остановленном двигателе очистите шаблон CKP.

2. Поверните ключ зажигания в положение LOCK (0).

3. Поверните ключ зажигания в положение ON (II) и подождите 30 секунд.

4. Проведите пробную поездку на ровной дороге. Замедлить при полностью закрытой дроссельной заслонке с частоты вращения двигателя 2500 об/мин до 1000 об/мин с включенной коробкой передач 2.

5. Остановите автомобиль, но не выключайте двигатель.

6. Отметьте PULSER F/B LEARN в списке данных с помощью HDS. Если оно НЕ ЗАВЕРШЕНО, перейдите к шагу 4. Если оно ЗАВЕРШЕНО, перейдите к шагу 7.

7. Проведите пробную поездку на ровной дороге. Замедлить при полностью закрытой дроссельной заслонке с частоты вращения двигателя 5000 об/мин до 3000 об/мин с включенной коробкой передач 2.

8.